Beschreiwung
Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.
Main Fonctiounen
1 .High Purity SiC Beschichtete Grafit
2. Superior Hëtzt Resistenz & thermesch Uniformitéit
3. Fine SiC Kristallsglas produzéiert fir eng glat Uewerfläch
4. Héich Haltbarkeet géint chemesch Botzen
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
| Grain Gréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
| Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
