SemiceraSilicon Carbide Epitaxieass konstruéiert fir déi rigoréis Ufuerderunge vun de modernen Hallefleitapplikatiounen z'erreechen. Andeems Dir fortgeschratt epitaxial Wuesstumstechniken benotzt, suerge mir datt all Siliziumkarbidschicht aussergewéinlech kristallin Qualitéit, Uniformitéit a minimal Defektdicht weist. Dës Charakteristike sinn entscheedend fir d'Entwécklung vun héich performant Kraaftelektronik, wou Effizienz an thermesch Gestioun wichteg sinn.
DéiSilicon Carbide EpitaxieProzess bei Semicera ass optimiséiert fir epitaxial Schichten mat präzis Dicke an Doping Kontroll ze produzéieren, fir eng konsequent Leeschtung iwwer eng Rei vun Apparater ze garantéieren. Dëse Präzisiounsniveau ass wesentlech fir Uwendungen an elektresche Gefierer, erneierbar Energiesystemer, an Héichfrequenz Kommunikatiounen, wou Zouverlässegkeet an Effizienz kritesch sinn.
Ausserdeem, Semicera'sSilicon Carbide Epitaxiebitt eng verstäerkte thermesch Konduktivitéit a méi héijer Decomptespannung, sou datt et déi bevorzugt Wiel fir Apparater mécht, déi ënner extremen Bedéngungen funktionnéieren. Dës Eegeschafte bäidroe fir méi laang Liewensdauer vum Apparat a verbesserte Gesamtsystemeffizienz, besonnesch an Héichkraaft- an Héichtemperaturëmfeld.
Semicera bitt och Personnalisatioun Optiounen firSilicon Carbide Epitaxie, Erlaabt moossgeschneidert Léisungen, déi spezifesch Apparat Ufuerderunge entspriechen. Ob fir Fuerschung oder grouss-Skala Produktioun, eis epitaxial Schichten sinn entworf déi nächst Generatioun vun semiconductor Innovatiounen ze ënnerstëtzen, d'Entwécklung vu méi mächteg, efficace, an zouverlässeg elektronesch Apparater.
Duerch d'Integratioun vu modernste Technologie a strenge Qualitéitskontrollprozesser, suergt Semicera datt eisSilicon Carbide EpitaxieProdukter treffen net nëmmen, mee iwwerschreiden d'Industrienormen. Dëst Engagement fir Exzellenz mécht eis epitaxial Schichten déi ideal Basis fir fortgeschratt Hallefleitapplikatiounen, de Wee fir Duerchbréch an der Kraaftelektronik an der Optoelektronik.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
