Graphite Suscepctor mat Silicon Carbide Beschichtung Barrel Schacht

Kuerz Beschreiwung:

Semicera offréiert eng ëmfaassend Palette vun susceptors a GRAPHITE Komponente fir verschidden epitaxy reactors entworf.

Duerch strategesch Partnerschafte mat industrieféierende OEMs, extensiv Materialexpertise, a fortgeschratt Fabrikatiounsfäegkeeten, liwwert Semicera personaliséiert Designs fir déi spezifesch Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun ze treffen. Eist Engagement fir Exzellenz garantéiert datt Dir optimal Léisunge fir Är Epitaxy-Reaktorbedürfnisser kritt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.

iwwer (1)

ongeféier (2)

Main Fonctiounen

1 .High Purity SiC Beschichtete Grafit

2. Superior Hëtzt Resistenz & thermesch Uniformitéit

3. Fine SiC Kristallsglas produzéiert fir eng glat Uewerfläch

4. Héich Haltbarkeet géint chemesch Botzen

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Hardness	Vickers Hardness	2500
Grain Gréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99,99995
Hëtzt Kapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatioun Temperatur	℃	2700
Felexural Kraaft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt Béi, 1300 ℃)	430
Thermal Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitung	(W/mK)	300