Silicon Carbide SiC Beschichtete Heizungen

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide Heizung ass mat Metalloxid beschichtet, dat heescht, wäit Infraroutfaarf Siliziumkarbidplack als Stralungselement, am Element Lach (oder Groove) an den elektresche Heizdraht, am Buedem vun der Siliziumkarbidplack méi déck Isolatioun setzen, refractaire , Wärmeisolatiounsmaterial, an dann op der Metallschuel installéiert, kann de Terminal benotzt ginn fir d'Energieversuergung ze verbannen.

Wann de wäit Infraroutstrahl vum Siliciumkarbidheizung op den Objet straalt, kann et absorbéieren, reflektéieren an duerchgoen. Dat erhëtzt a gedréchent Material absorbéiert wäit-Infraroutstrahlungsenergie an enger gewësser Tiefe vun internen an Uewerflächemolekülen zur selwechter Zäit, produzéiert e Selbstheizungseffekt, sou datt d'Léisungsmëttel oder d'Waassermoleküle verdampen a gläichméisseg waarm ginn, sou datt Verformung a qualitativ Ännerung vermeit. wéinst verschiddene Grad vun der thermescher Expansioun, sou datt d'Erscheinung vum Material, kierperlech a mechanesch Eegeschaften, Schnellegkeet a Faarf intakt bleiwen.


Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.

SiC Heizelement (17)
SiC Heizelement (22)
SiC Heizelement (23)

Main Fonctiounen

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties

Kristallstruktur FCC β Phase
Dicht g/cm³ 3.21
Hardness Vickers Hardness 2500
Grain Gréisst μm 2~10
Chemesch Rengheet % 99,99995
Hëtzt Kapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
Sublimatioun Temperatur 2700
Felexural Kraaft MPa (RT 4-Punkt) 415
Young's Modulus Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) 430
Thermal Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
Wärmeleitung (W/mK) 300
Semicera Aarbechtsplaz
Semicera Aarbechtsplaz 2
Equipement Maschinn
CNN Veraarbechtung, chemesch Botzen, CVD Beschichtung
Semicera Ware House
Eise Service

  • virdrun:
  • Nächste: