Beschreiwung
Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vun GRAPHITE, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase Kuelestoff a Silicon enthalen bei héijer Temperatur reagéieren héich Rengheet SiC Molekülle ze kréien, Molekülle op der Uewerfläch deposéiertBeschichteteMaterialien, déi SIC Schutzschicht bilden.
D'Charakteristike vu SiC Duschkopf sinn wéi follegt:
1. Korrosiounsbeständegkeet: SiC Material huet exzellent Korrosiounsbeständegkeet a kann d'Erosioun vu verschiddene chemesche Flëssegkeeten a Léisunge widderstoen, an ass gëeegent fir eng Rei vu chemesche Veraarbechtung an Uewerflächenbehandlungsprozesser.
2. Héich Temperatur Stabilitéit:SiC Düsenkann strukturell Stabilitéit an héich Temperatur Ëmfeld erhalen a si gëeegent fir Uwendungen datt héich Temperatur Behandlung verlaangen.
3. Uniform Sprayen:SiC nozzleDesign huet gutt Sprëtz Kontroll Leeschtung, déi eenheetlech Flëssegket Verdeelung erreechen kann an suergen, datt d'Behandlung Flëssegket gläichméisseg op der Zil- Uewerfläch Daach ass.
4. Héich Verschleißbeständegkeet: SiC Material huet héich Härtheet a Verschleißbeständegkeet a kann laangfristeg Notzung a Reibung widderstoen.
SiC Duschkopf gi wäit an der flësseger Behandlungsprozesser an der Hallefleitfabrikatioun, der chemescher Veraarbechtung, der Uewerflächebeschichtung, der Elektroplatéierung an aner Industrieberäicher benotzt. Et kann stabil, eenheetlech an zouverlässeg Sprayeffekter ubidden fir d'Qualitéit an d'Konsistenz vun der Veraarbechtung an der Behandlung ze garantéieren.
Main Fonctiounen
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
| Grain Gréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
| Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
