Silicon Carbide Wafer Pedestal

Kuerz Beschreiwung:

Semicera's Silicon Carbide Wafer Pedestal ass eng High-Performance Plattform entwéckelt fir d'Effizienz vun Epitaxie- an Ätsprozesser ze verbesseren. Als Schlësselkomponent ënnerstëtzt Prozesser wéi Si Epitaxy a SiC Epitaxy, kann dem Semicera säi Produkt exzellent Stabilitéit a Präzisioun ënner extremen Konditiounen erhalen. Egal ob et Monocrystalline Silicon (Monocrystalline Silicon) Fabrikatioun ass oder GaN op SiC Epitaxy, semicera's Silicon Carbide Wafer Pedestal kann verschidde Halbleiter Fabrikatiounsbedürfnisser erfëllen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide Wafer Pedestalass gëeegent fir eng Vielfalt vu Schlësselausrüstung wéi zMOCVD Susceptor, Pancake Susceptor, RTP Carrier, etc., a mécht och gutt anLED epitaxialsusceptors (LED Epitaxial Susceptor) a barrel susceptors (Barrel Susceptor). D'Produkter vun semicera kënnen och a komplexe Prozessëmfeld benotzt ginn wéi Photovoltaikdeeler, PSS Etching Carriers anICP ÄtzenCarrier fir effizient Produktioun a qualitativ héichwäerteg fäerdeg Produkter ze garantéieren.

Semicera's Silicon Carbide Wafer Pedestal benotzt fortgeschratt Materialien an innovativen Design, besonnesch an héich Temperaturen a korrosive Ëmfeld. Et kann effektiv ënnerstëtzenLED Epitaxie, Photovoltaik an aner komplex Halbleiter-Fabrikatiounsprozesser, reduzéieren Stress a Mängel, suergen fir stabile Wafertransfer a Veraarbechtung, a bidden zouverléissege Schutz fir héichpräzis Fabrikatiounsprozesser.

Egal ob Dir Epitaxie, Ätzen oder aner High-End Fabrikatiounsprozesser ënnerstëtzen musst, de Silicon Carbide Wafer Pedestal vun Semicera kann Iech exzellent Léisunge ubidden. Mat senger excellent Leeschtung anSi EpitaxieanSiC Epitaxie, Dëst Produkt ass e Schlësselkomponent fir déi effizient Operatioun vun Halbleiterprozesser ze garantéieren.