De Silicon Film vu Semicera ass e qualitativ héichwäertegt, präzis konstruéiert Material entwéckelt fir déi streng Ufuerderunge vun der Hallefleitindustrie z'erreechen. Hiergestallt aus purem Silizium, bitt dës Dënnfilmléisung exzellent Uniformitéit, héich Rengheet an aussergewéinlech elektresch an thermesch Eegeschaften. Et ass ideal fir ze benotzen an verschiddenen Hallefleitapplikatiounen, dorënner d'Produktioun vu Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, an Epi-Wafer. Semicera's Silicon Film garantéiert zouverlässeg a konsequent Leeschtung, sou datt et e wesentlecht Material fir fortgeschratt Mikroelektronik ass.
Superior Qualitéit a Leeschtung fir Semiconductor Fabrikatioun
Semicera's Silicon Film ass bekannt fir seng aussergewéinlech mechanesch Kraaft, héich thermesch Stabilitéit, a geréng Defektraten, déi all entscheedend sinn an der Fabrikatioun vun High-Performance Hallefleit. Egal ob an der Produktioun vu Galliumoxid (Ga2O3) Geräter, AlN Wafer oder Epi-Wafers benotzt gëtt, bitt de Film e staarke Fundament fir dënn Filmdepositioun an epitaxial Wuesstum. Seng Kompatibilitéit mat anere Hallefleitsubstrater wéi SiC Substrate a SOI Wafers suergt fir eng nahtlos Integratioun an existente Fabrikatiounsprozesser, hëlleft fir héich Ausbezuelen a konsequent Produktqualitéit ze halen.
Uwendungen an der Semiconductor Industrie
An der Hallefleitindustrie gëtt dem Semicera Silicon Film an enger breeder Palette vun Uwendungen benotzt, vun der Produktioun vu Si Wafer a SOI Wafer bis zu méi spezialiséierte Gebrauch wéi SiN Substrat an Epi-Wafer Kreatioun. Déi héich Rengheet a Präzisioun vun dësem Film maachen et essentiell an der Produktioun vun fortgeschratt Komponenten, déi an alles vun Mikroprozessoren an integréierte Circuiten bis optoelektronesch Apparater benotzt ginn.
De Silicon Film spillt eng kritesch Roll an Hallefleitprozesser wéi Epitaxialwachstum, Waferbindung, an Dënnfilmdepositioun. Seng zouverlässeg Eegeschafte si besonnesch wäertvoll fir Industrien déi héich kontrolléiert Ëmfeld erfuerderen, sou wéi Cleanrooms an Hallefleitfabriken. Zousätzlech kann de Silicon Film a Kassettsystemer fir effizient Waferhandhabung an Transport während der Produktioun integréiert ginn.
Laangfristeg Zouverlässegkeet a Konsistenz
Ee vun de Schlësselvirdeeler vum Gebrauch vum Semicera Silicon Film ass seng laangfristeg Zouverlässegkeet. Mat senger exzellenter Haltbarkeet a konsequenter Qualitéit bitt dëse Film eng zouverlässeg Léisung fir héichvolumen Produktiounsëmfeld. Egal ob et an héichpräzis Halbleitergeräter oder fortgeschratt elektroneschen Uwendungen benotzt gëtt, suergt de Silicon Film vun Semicera datt d'Fabrikanten héich Leeschtung an Zouverlässegkeet iwwer eng breet Palette vu Produkter erreechen kënnen.
Firwat Wielt Semicera Silicon Film?
De Silicon Film vu Semicera ass e wesentlecht Material fir modernste Uwendungen an der Hallefleitindustrie. Seng héich performant Eegeschaften, dorënner exzellent thermesch Stabilitéit, héich Rengheet, a mechanesch Kraaft, maachen et déi ideal Wiel fir Hiersteller déi héchste Standarden an der Hallefleitproduktioun erreechen. Vun Si Wafer a SiC Substrat bis zur Produktioun vu Galliumoxid Ga2O3 Geräter, liwwert dëse Film oniwwertraff Qualitéit a Leeschtung.
Mat Semicera's Silicon Film, kënnt Dir op e Produkt vertrauen, deen d'Bedierfnesser vun der moderner Hallefleitfabrikatioun entsprécht, en zouverléissege Fundament fir déi nächst Generatioun vun Elektronik ubitt.
Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
Crystal Parameteren | |||
Polytyp | 4H | ||
Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektresch Parameteren | |||
Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
Mechanesch Parameteren | |||
Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dicke | 350 ± 25 μm | ||
Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secondaire Appartement | Keen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Front Qualitéit | |||
Front | Si | ||
Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
Front Laser Marquage | Keen | ||
Zréck Qualitéit | |||
Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
Rand | |||
Rand | Chamfer | ||
Verpakung | |||
Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
* Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. |