Semicera's Silicon Nitride Keramik Substrat representéiert den Héichpunkt vun der fortgeschratt Materialtechnologie, déi aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit a robust mechanesch Eegeschafte ubitt. Entworf fir High-Performance Uwendungen, dëst Substrat exceléiert an Ëmfeld déi zouverlässeg thermesch Gestioun a strukturell Integritéit erfuerderen.
Eis Silicon Nitride Keramik Substrate sinn entwéckelt fir extrem Temperaturen an haarde Konditiounen ze widderstoen, sou datt se ideal sinn fir High-Power an High-Frequenz elektronesch Geräter. Hir super thermesch Konduktivitéit garantéiert effizient Wärmevergëftung, wat entscheedend ass fir d'Performance an d'Längegkeet vun elektronesche Komponenten z'erhalen.
Dem Semicera säin Engagement fir Qualitéit ass evident an all Silicon Nitride Keramik Substrat dee mir produzéieren. All Substrat gëtt mat modernste Prozesser hiergestallt fir konsequent Leeschtung a minimale Mängel ze garantéieren. Dësen héije Präzisiounsniveau ënnerstëtzt déi streng Ufuerderunge vun Industrien wéi Automobil, Raumfaart an Telekommunikatioun.
Zousätzlech zu hiren thermeschen a mechanesche Virdeeler bidden eis Substrate exzellent elektresch Isolatiounseigenschaften, déi zu der allgemenger Zouverlässegkeet vun Ären elektroneschen Apparater bäidroen. Duerch d'Reduktioun vun elektresche Stéierungen an d'Verbesserung vun der Komponentstabilitéit, spillen Semicera's Silicon Nitride Keramik Substrate eng entscheedend Roll bei der Optimiséierung vun der Geräterleistung.
D'Wiel vum Semicera's Silicon Nitride Keramik Substrat heescht investéieren an e Produkt dat souwuel héich Leeschtung an Haltbarkeet liwwert. Eis Substrate sinn konstruéiert fir d'Bedierfnesser vun fortgeschratt elektroneschen Uwendungen z'erreechen, fir datt Är Apparater vun der moderner Materialtechnologie an aussergewéinlecher Zouverlässegkeet profitéieren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
