Semicera's Silicon On Insulator (SOI) Wafer ass an der Spëtzt vun der Hallefleitinnovatioun, bitt verbessert elektresch Isolatioun a super thermesch Leeschtung. D'SOI Struktur, besteet aus enger dënnter Siliziumschicht op engem isoléierende Substrat, bitt kritesch Virdeeler fir héich performant elektronesch Geräter.
Eis SOI Wafere sinn entwéckelt fir parasitär Kapazitéit a Leckstroum ze minimiséieren, wat essentiell ass fir High-Speed- a Low-Power integréiert Circuits z'entwéckelen. Dës fortgeschratt Technologie garantéiert datt Geräter méi effizient funktionnéieren, mat verbesserte Geschwindegkeet a reduzéierter Energieverbrauch, entscheedend fir modern Elektronik.
Déi fortgeschratt Fabrikatiounsprozesser, déi vu Semicera beschäftegt ginn, garantéieren d'Produktioun vu SOI Wafere mat exzellenter Uniformitéit a Konsistenz. Dës Qualitéit ass vital fir Uwendungen an der Telekommunikatioun, Automobil, a Konsumentelektronik, wou zouverlässeg an héich performant Komponenten erfuerderlech sinn.
Zousätzlech zu hiren elektresche Virdeeler bidden d'SOI Wafere vu Semicera eng super thermesch Isolatioun, d'Hëtztvergëftung a Stabilitéit an High-Density an High-Power Geräter verbesseren. Dës Feature ass besonnesch wäertvoll an Uwendungen déi bedeitend Hëtztgeneratioun involvéieren an effektiv thermesch Gestioun erfuerderen.
Andeems Dir dem Semicera Silicon On Insulator Wafer auswielt, investéiert Dir an e Produkt dat de Fortschrëtt vun de modernste Technologien ënnerstëtzt. Eist Engagement fir Qualitéit an Innovatioun suergt dofir datt eis SOI Wafers déi streng Ufuerderunge vun der haiteger Hallefleitindustrie entspriechen, déi d'Fundament fir d'nächst Generatioun elektronesch Geräter ubidden.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
