Silicon op Isolator Wafersvun Semicera sinn entworf der wuessender Nofro fir héich-Performance semiconductor Léisungen ze treffen. Eis SOI Wafere bidden eng super elektresch Leeschtung a reduzéiert parasitär Geräter Kapazitéit, sou datt se ideal fir fortgeschratt Uwendungen wéi MEMS Apparater, Sensoren an integréiert Circuits. Semicera seng Expertise an der Waferproduktioun garantéiert datt jiddereeSOI waferstellt zouverlässeg, héichwäerteg Resultater fir Är nächst Generatioun Technologie Besoinen.
EisSilicon op Isolator Wafersbidden en optimalen Gläichgewiicht tëscht Käschten-Effizienz a Leeschtung. Mat soi Wafer Käschten ëmmer méi kompetitiv ginn, ginn dës Wafere wäit an enger Rei vun Industrien benotzt, dorënner Mikroelektronik an Optoelektronik. Semicera's héich Präzisiounsproduktiounsprozess garantéiert eng super Waferbindung an Uniformitéit, sou datt se gëeegent sinn fir eng Vielfalt vun Uwendungen, vu Kavitéit SOI Wafere bis Standard Silicium Wafers.
Schlëssel Features:
•Héichqualitativ SOI Wafere optimiséiert fir Leeschtung an MEMS an aner Uwendungen.
•Kompetitiv Soi Wafer Käschte fir Geschäfter déi fortgeschratt Léisunge sichen ouni Qualitéit ze kompromittéieren.
•Ideal fir opzedeelen Technologien, bitt verbessert elektresch Isolatioun an Effizienz am Silizium op Isolatorsystemer.
EisSilicon op Isolator Waferssi konstruéiert fir High-Performance-Léisungen ze bidden, déi nächst Welle vun Innovatioun an der Hallefleittechnologie ënnerstëtzen. Egal ob Dir um Kavitéit schafftSOI wafers, MEMS-Geräter oder Silizium op Isolatorkomponenten, Semicera liwwert Waferen déi den héchste Standarden an der Industrie entspriechen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
