Semicera Silicon Wafers si virsiichteg gemaach fir als Fundament fir eng breet Palette vun Hallefleitgeräter ze déngen, vu Mikroprozessoren bis Photovoltaikzellen. Dës Wafere si mat héijer Präzisioun a Rengheet konstruéiert, fir eng optimal Leeschtung a verschiddenen elektroneschen Uwendungen ze garantéieren.
Hiergestallt mat fortgeschratt Techniken, Semicera Silicon Wafers weisen aussergewéinlech Flaachheet an Uniformitéit, déi entscheedend sinn fir héich Ausbezuelen an der Halbleiterfabrikatioun z'erreechen. Dëse Präzisiounsniveau hëlleft fir Mängel ze minimiséieren an d'Gesamteffizienz vun elektronesche Komponenten ze verbesseren.
Déi héich Qualitéit vun Semicera Silicon Wafers ass evident an hiren elektresche Charakteristiken, déi zu der verstäerkter Leeschtung vun Hallefleitgeräter bäidroen. Mat nidderegen Onreinheetsniveauen an héijer Kristallqualitéit bidden dës Wafere déi ideal Plattform fir héich performant Elektronik z'entwéckelen.
Verfügbar a verschiddene Gréissten a Spezifikatioune, Semicera Silicon Wafers kënnen ugepasst ginn fir de spezifesche Bedierfnesser vu verschiddenen Industrien ze treffen, dorënner Informatik, Telekommunikatioun an erneierbar Energie. Ob fir grouss Fabrikatioun oder spezialiséiert Fuerschung, dës wafers liwweren zouverlässeg Resultater.
Semicera ass engagéiert fir de Wuesstum an d'Innovatioun vun der Hallefleitindustrie z'ënnerstëtzen andeems se qualitativ héichwäerteg Siliziumwafers ubidden, déi den héchste Industrienormen entspriechen. Mat engem Fokus op Präzisioun an Zouverlässegkeet, Semicera erméiglecht d'Fabrikanten d'Grenze vun der Technologie ze drécken, fir datt hir Produkter un der Spëtzt vum Maart bleiwen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
