Semicera's SiN Keramik Plain Substrate bidden eng héich performant Léisung fir eng Vielfalt vun elektroneschen an industriellen Uwendungen. Bekannt fir hir exzellent thermesch Konduktivitéit a mechanesch Kraaft, garantéieren dës Substrate zouverlässeg Operatioun an usprochsvollen Ëmfeld.
Eis SiN (Silicon Nitride) Keramik ass entwéckelt fir extrem Temperaturen an héich Stressbedéngungen ze handhaben, sou datt se gëeegent sinn fir High-Power Elektronik a fortgeschratt Hallefleitgeräter. Hir Haltbarkeet a Resistenz géint thermesch Schock maachen se ideal fir ze benotzen an Uwendungen wou Zouverlässegkeet an Leeschtung kritesch sinn.
Semicera d'Präzisioun Fabrikatioun Prozesser suergen, datt all Einfache Substrat rigoréis Qualitéitsnormen meets. Dëst resultéiert zu Substrate mat konsequent Dicke an Uewerflächequalitéit, déi essentiell sinn fir eng optimal Leeschtung an elektronesche Versammlungen a Systemer z'erreechen.
Zousätzlech zu hiren thermeschen a mechanesche Virdeeler, SiN Keramik Plain Substrate bidden exzellent elektresch Isolatiounseigenschaften. Dëst garantéiert minimal elektresch Stéierungen a dréit zur Gesamtstabilitéit an Effizienz vun elektronesche Komponenten bäi, fir hir operationell Liewensdauer ze verbesseren.
Andeems Dir Semicera's SiN Keramik Plain Substraten auswielt, wielt Dir e Produkt dat fortgeschratt Materialwëssenschaft mat Top-Notch Fabrikatioun kombinéiert. Eist Engagement fir Qualitéit an Innovatioun garantéiert datt Dir Substrate kritt déi den héchste Industrienormen entspriechen an den Erfolleg vun Äre fortgeschratt Technologieprojeten ënnerstëtzen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
