Semicera's SOI Wafer (Silicon On Isolator) ass entwéckelt fir eng super elektresch Isolatioun an thermesch Leeschtung ze liwweren. Dës innovativ Wafer Struktur, mat enger Siliziumschicht op enger isoléierender Schicht, suergt fir eng verstäerkte Gerätperformance a reduzéierte Stroumverbrauch, sou datt et ideal ass fir eng Rei High-Tech Uwendungen.
Eis SOI Wafere bidden aussergewéinlech Virdeeler fir integréiert Kreesleef andeems d'parasitär Kapazitéit miniméiert an d'Geschwindegkeet an d'Effizienz vum Apparat verbessert gëtt. Dëst ass entscheedend fir modern Elektronik, wou héich Leeschtung an Energieeffizienz wesentlech fir Konsumenten an industriell Uwendungen sinn.
Semicera beschäftegt fortgeschratt Fabrikatiounstechnike fir SOI Wafere mat konsequent Qualitéit an Zouverlässegkeet ze produzéieren. Dës Wafere bidden eng exzellent thermesch Isolatioun, sou datt se gëeegent sinn fir an Ëmfeld ze benotzen, wou d'Hëtztvergëftung eng Suerg ass, sou wéi an elektroneschen Apparater mat héijer Dicht a Kraaftmanagementsystemer.
D'Benotzung vu SOI Wafere bei der Halbleiterfabrikatioun erlaabt d'Entwécklung vu méi klengen, méi séier a méi zouverlässeg Chips. Dem Semicera säin Engagement fir Präzisiounstechnik garantéiert datt eis SOI Wafere den héije Standarden erfëllen, déi erfuerderlech sinn fir modernste Technologien a Felder wéi Telekommunikatioun, Automobil, a Konsumentelektronik.
D'Wiel vum Semicera's SOI Wafer heescht investéieren an e Produkt dat de Fortschrëtt vun elektroneschen a mikroelektroneschen Technologien ënnerstëtzt. Eis Wafere sinn entwéckelt fir eng verstäerkte Leeschtung an Haltbarkeet ze bidden, zum Erfolleg vun Ären High-Tech Projeten bäizedroen an ze garantéieren datt Dir un der Spëtzt vun der Innovatioun bleift.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
