D'Solid Silicon Carbide (SiC) Ätsringen, déi vun Semicera ugebuede ginn, ginn duerch d'chemesch Vapor Deposition (CVD) Method hiergestallt a sinn en aussergewéinlecht Resultat am Feld vun Präzisioun Ätzprozess Uwendungen. Dës Solid Silicon Carbide (SiC) Ätzringe si bekannt fir hir exzellente Hardness, thermesch Stabilitéit a Korrosiounsbeständegkeet, an déi super Materialqualitéit gëtt duerch CVD Synthese gesuergt.
Speziell fir Ätzprozesser entworf, de Solid Silicon Carbide (SiC) Ätsringe seng robust Struktur an eenzegaarteg Materialeigenschaften spillen eng Schlësselroll fir Präzisioun an Zouverlässegkeet z'erreechen. Am Géigesaz zu traditionelle Materialien huet déi zolidd SiC Komponent oniwwertraff Haltbarkeet a Verschleißbeständegkeet, sou datt et en onverzichtbare Bestanddeel an Industrien ass, déi Präzisioun a laang Liewensdauer erfuerderen.
Eis Solid Silicon Carbide (SiC) Ätzringe si präzis fabrizéiert a Qualitéitskontrolléiert fir hir super Leeschtung an Zouverlässegkeet ze garantéieren. Egal ob an der Hallefleitfabrikatioun oder an anere verwandte Felder, dës Solid Silicon Carbide (SiC) Ätsringe kënne stabil Ätzleistung an exzellent Ätzresultater ubidden.
Wann Dir un eisem Solid Silicon Carbide (SiC) Ätzring interesséiert sidd, da kontaktéiert eis. Eist Team gëtt Iech detailléiert Produktinformatioun a professionell technesch Ënnerstëtzung fir Är Bedierfnesser ze treffen. Mir freeën eis op eng laangfristeg Partnerschaft mat Iech opzebauen a gemeinsam d'Entwécklung vun der Industrie ze förderen.
✓ Top Qualitéit am China Maart
✓ Gutt Service ëmmer fir Iech, 7*24 Stonnen
✓ Kuerz Liwwerdatum
✓ Kleng MOQ wëllkomm an akzeptéiert
✓ Benotzerdefinéiert Servicer
Epitaxy Wuesstem Susceptor
Silizium / Siliciumcarbid Wafere mussen duerch verschidde Prozesser goen fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. E wichtege Prozess ass Silizium / Sic Epitaxie, an där Silizium / Sic Wafere op enger Grafitbasis gedroe ginn. Besonnesch Virdeeler vum Semicera Siliziumkarbid-beschichtete Grafitbasis enthalen extrem héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung an extrem laang Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
LED Chip Produktioun
Wärend der extensiv Beschichtung vum MOCVD-Reaktor bewegt d'planetaresch Basis oder den Träger de Substratwafer. D'Performance vum Basismaterial huet e groussen Afloss op d'Beschichtungsqualitéit, wat am Tour d'Schrottrate vum Chip beaflosst. Semicera's Siliziumkarbid-beschichtete Base erhéicht d'Fabrikatiounseffizienz vu qualitativ héichwäerteg LED Waferen a miniméiert d'Wellenlängtabweichung. Mir liwweren och zousätzlech Graphitkomponente fir all MOCVD Reaktoren déi aktuell am Gebrauch sinn. Mir kënne bal all Komponent mat enger Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, och wann de Komponentdurchmesser bis zu 1,5M ass, kënne mir nach ëmmer mat Siliziumkarbid beschichten.
Semiconductor Field, Oxidatiounsdiffusiounsprozess, etc.
Am Halbleiterprozess erfuerdert den Oxidatiounsexpansiounsprozess héich Produktreinheet, a bei Semicera bidde mir personaliséiert a CVD Beschichtungsservicer fir d'Majoritéit vu Siliziumkarbiddeeler.
Déi folgend Bild weist de rau veraarbechte Siliciumcarbid-Schlämm vu Semicea an de Siliziumkarbid-Uewenröhr deen an der 100 gebotzt gëtt0- NiveauStëbs-gratisZëmmer. Eis Aarbechter schaffen virum Beschichtung. D'Rengheet vun eisem Siliziumkarbid kann 99,99% erreechen, an d'Rengheet vun der sic Beschichtung ass méi wéi 99,99995%.
Raw Silicon Carbide Paddle a SiC Prozess Tube am Cleaning
Silicon Carbide Wafer Boot CVD SiC Beschichtete
