Semicera bitt spezialiséiert Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir verschidde Komponenten an Träger.Semicera féierende Beschichtungsprozess erméiglecht Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir héich Rengheet, héich Temperaturstabilitéit an héich chemesch Toleranz z'erreechen, d'Produktqualitéit vu SIC / GAN Kristalle an EPI Schichten ze verbesseren (Graphit Beschichtete TaC susceptor), an d'Liewen vun de Schlësselreakterkomponenten verlängeren. D'Benotzung vun Tantal Carbide TaC Beschichtung ass de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, an Semicera huet den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist, an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
Silicon Carbide (SiC) ass e Schlësselmaterial an der drëtter Generatioun vun Hallefleit, awer seng Ausbezuelungsrate war e limitéierende Faktor fir de Wuesstum vun der Industrie. No extensiv Tester an de Laboratoiren vun Semicera gouf festgestallt datt gesprëtzt a gesintert TaC déi néideg Rengheet an Uniformitéit feelt. Am Géigesaz garantéiert de CVD-Prozess e Rengheetsniveau vu 5 PPM an eng exzellent Uniformitéit. D'Benotzung vu CVD TaC verbessert d'Ausbezuelungsquote vu Siliziumkarbidwafer wesentlech. Mir begréissen DiskussiounenTaC Beschichtete Graphit Dräi-Segment Réng fir d'Käschte vu SiC Wafere weider ze reduzéieren.
No Joer vun Entwécklung, Semicera huet d'Technologie vun eruewertCVD TaCmat de gemeinsame Efforte vum R&D Departement. Mängel sinn einfach am Wuesstumsprozess vu SiC Wafere optrieden, awer nom GebrauchTaC, den Ënnerscheed ass bedeitend. Drënner ass e Verglach vu Wafere mat an ouni TaC, souwéi Simicera 'Deeler fir eenzel Kristallwachstum.
mat an ouni TaC
Nodeems Dir TaC benotzt (riets)
Ausserdeem, Semicera'sTaC-beschichtete Produkterweisen e méi laang Liewensdauer a méi héijer Temperaturresistenz am Verglach zuSiC Beschichtungen.Labormessungen hu gewisen, datt eisTaC Beschichtungenkann konsequent bei Temperaturen bis zu 2300 Grad Celsius fir verlängert Perioden Leeschtunge. Drënner sinn e puer Beispiller vun eise Proben:
