Aféierung an CVD TaC Coating:
CVD TaC Coating ass eng Technologie déi chemesch Dampdepositioun benotzt fir Tantalkarbid (TaC) Beschichtung op der Uewerfläch vun engem Substrat ze deposéieren. Tantalkarbid ass en héich performant Keramikmaterial mat exzellente mechanesche a chemeschen Eegeschaften. De CVD Prozess generéiert en eenheetlechen TaC Film op der Uewerfläch vum Substrat duerch Gasreaktioun.
Haaptmerkmale:
Exzellent Hardness a Verschleißbeständegkeet: Tantalkarbid huet extrem héich Härtheet, an CVD TaC Coating kann d'Verschleißbeständegkeet vum Substrat wesentlech verbesseren. Dëst mécht d'Beschichtung ideal fir Uwendungen an héichverschleienden Ëmfeld, wéi Schneidinstrumenter a Schimmel.
Héich Temperatur Stabilitéit: TaC Beschichtungen schützen kritesch Uewen- a Reaktorkomponenten bei Temperaturen bis 2200 ° C, beweist gutt Stabilitéit. Et hält chemesch a mechanesch Stabilitéit ënner extremen Temperaturbedéngungen, sou datt et gëeegent ass fir Héichtemperaturveraarbechtung an Uwendungen an héijen Temperaturen Ëmfeld.
Exzellent chemesch Stabilitéit: Tantalkarbid huet staark Korrosiounsbeständegkeet fir déi meescht Säuren an Alkalien, an CVD TaC Beschichtung kann effektiv Schied un de Substrat a korrosive Ëmfeld verhënneren.
Héich Schmelzpunkt: Tantalkarbid huet en héije Schmelzpunkt (ongeféier 3880 °C), wat et erlaabt CVD TaC Beschichtung an extremen héijen Temperaturbedéngungen ze benotzen ouni ze schmëlzen oder ze degradéieren.
Exzellent thermesch Konduktivitéit: TaC Beschichtung huet eng héich thermesch Konduktivitéit, déi hëlleft effektiv Hëtzt bei héijer Temperaturprozesser ofzeléisen an lokal Iwwerhëtzung ze vermeiden.
Potenziell Uwendungen:
• Gallium Nitride (GaN) a Silicon Carbide epitaxial CVD Reaktor Komponenten abegraff Wafer Carrier, Satellite Platen, Duschkopf, Plafongen a Susceptoren
• Siliziumkarbid, Galliumnitrid an Aluminiumnitrid (AlN) Kristallwachstumskomponenten inklusiv Kriiselen, Somhalter, Guideringen a Filteren
• Industriekomponenten inklusiv Resistenzheizungselementer, Injektiounsdüsen, Maskeringsringen a Brazing Jigs
Applikatioun Fonctiounen:
• Temperatur stabil iwwer 2000 ° C, erlaabt Operatioun bei extremen Temperaturen
• Resistent géint Waasserstoff (Hz), Ammoniak (NH3), Monosilan (SiH4) a Silizium (Si), suergt Schutz an haarde chemeschen Ëmfeld
• Seng thermesch Schockbeständegkeet erméiglecht méi séier Operatiounszyklen
• Graphite huet eng staark Adhäsioun, garantéiert e laang Liewensdauer a keng Beschichtungsdelaminatioun.
• Ultra-héich Rengheet fir onnéideg Gëftstoffer oder Verschmotzung ze eliminéieren
• Konform Beschichtungsdeckung op enk Dimensiounstoleranzen
Technesch Spezifikatioune:
Virbereedung vun dichten Tantalkarbidbeschichtungen duerch CVD:
TAC Beschichtung mat héijer Kristallinitéit an exzellenter Uniformitéit:
CVD TAC COATING Technesch Parameteren_Semicera:
Déi uewendriwwer sinn typesch Wäerter.
