Semicera bitt spezialiséiert Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir verschidde Komponenten an Träger.Semicera féierende Beschichtungsprozess erméiglecht Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir héich Rengheet, héich Temperaturstabilitéit an héich chemesch Toleranz z'erreechen, d'Produktqualitéit vu SIC / GAN Kristalle an EPI Schichten ze verbesseren (Graphit Beschichtete TaC susceptor), an d'Liewen vun de Schlësselreakterkomponenten verlängeren. D'Benotzung vun Tantal Carbide TaC Beschichtung ass de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, an Semicera huet den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist, an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
Tantalkarbid Beschichtete Wafer Carrier gi wäit an der Waferveraarbechtung an Handhabungsprozesser an Hallefleitfabrikatiounsprozesser benotzt. Si bidden stabil Ënnerstëtzung a Schutz fir d'Sécherheet, d'Genauegkeet an d'Konsistenz vun de Wafere während dem Fabrikatiounsprozess ze garantéieren. Tantalkarbidbeschichtungen kënnen d'Liewensdauer vum Carrier verlängeren, d'Käschte reduzéieren an d'Qualitéit an Zouverlässegkeet vun Halbleiterprodukter verbesseren.
Beschreiwung vum Tantalkarbid Beschichtete Wafer Carrier ass wéi follegt:
1. Materialauswiel: Tantalkarbid ass e Material mat exzellenter Leeschtung, héijer Hardness, héije Schmelzpunkt, Korrosiounsbeständegkeet an exzellente mechanesche Properties, sou datt et vill am Hallefleeder-Fabrikatiounsprozess benotzt gëtt.
2. Surface Beschichtung: Tantalkarbidbeschichtung gëtt op d'Uewerfläch vum Wafer Carrier duerch e spezielle Beschichtungsprozess applizéiert fir eng eenheetlech an dichte Tantal Carbide Beschichtung ze bilden. Dës Beschichtung kann zousätzlech Schutz a Verschleißbeständegkeet ubidden, wärend eng gutt thermesch Konduktivitéit huet.
3. Flaachheet a Präzisioun: Tantalkarbid Beschichtete Wafer Carrier huet en héije Grad vu Flaachheet a Präzisioun, déi d'Stabilitéit an d'Genauegkeet vun de Wafer während dem Fabrikatiounsprozess garantéiert. D'Flaachheet an d'Finish vun der Trägerfläch si kritesch fir d'Qualitéit an d'Leeschtung vum Wafer ze garantéieren.
4. Temperaturstabilitéit: Tantalkarbid-beschichtete Wafer Carrier kënnen Stabilitéit an héijen Temperaturen Ëmfeld behalen ouni Verformung oder Loosen, fir d'Stabilitéit an d'Konsistenz vu Waferen an héijer Temperaturprozesser ze garantéieren.
5. Korrosiounsbeständegkeet: Tantalkarbidbeschichtungen hunn exzellente Korrosiounsbeständegkeet, kënnen d'Erosioun vu Chemikalien a Léisungsmëttel widderstoen, a schützen den Träger vu Flëssegkeet a Gaskorrosioun.
mat an ouni TaC
Nodeems Dir TaC benotzt (riets)
Ausserdeem, Semicera'sTaC-beschichtete Produkterweisen e méi laang Liewensdauer a méi héijer Temperaturresistenz am Verglach zuSiC Beschichtungen.Labormessungen hu gewisen, datt eisTaC Beschichtungenkann konsequent bei Temperaturen bis zu 2300 Grad Celsius fir verlängert Perioden Leeschtunge. Drënner sinn e puer Beispiller vun eise Proben:
