Semicera stellt d'Industrie-VirwaatWafer Carriers, konstruéiert fir e super Schutz an nahtlosen Transport vu delikaten Hallefleitwaferen iwwer verschidden Etappe vum Fabrikatiounsprozess ze bidden. EisWafer Carrierssi virsiichteg entworf fir déi streng Ufuerderunge vun der moderner Halbleiterfabrikatioun z'erreechen, fir datt d'Integritéit an d'Qualitéit vun Äre Wafere zu all Moment erhale bleiwen.
Schlëssel Features:
• Premium Material Konstruktioun:Geschafft aus héichqualitativen, kontaminéierte resistente Materialien déi Haltbarkeet a Liewensdauer garantéieren, sou datt se ideal fir propperem Ëmfeld sinn.
•Präzisioun Design:Fonctiounen präzis Slot Ausrichtung a sécher Haltungsmechanismen fir Wafer Rutsch a Schued beim Ëmgank an Transport ze vermeiden.
•Villsäiteg Kompatibilitéit:Passt eng breet Palette vu Wafergréissten an Dicken, bitt Flexibilitéit fir verschidde Hallefleitapplikatiounen.
•Ergonomesch Handhabung:Liicht a userfrëndlecht Design erliichtert einfach Luede an Ausluede, verbessert operationell Effizienz a reduzéieren Ëmgank Zäit.
•Personnaliséierbar Optiounen:Bitt Personnalisatioun fir spezifesch Ufuerderungen z'erreechen, dorënner Materialwahl, Gréisst Upassungen, a Label fir optimiséiert Workflow Integratioun.
Verbessert Äre Semiconductor Fabrikatiounsprozess mat Semicera'sWafer Carriers, déi perfekt Léisung fir Är Wafere géint Kontaminatioun a mechanesche Schued ze schützen. Vertrauen an eisem Engagement fir Qualitéit an Innovatioun fir Produkter ze liwweren déi net nëmmen d'Industrienormen treffen, mee iwwerschreiden, fir datt Är Operatiounen glat an effizient lafen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
