Semicera stellt d'Wafer Cassette Carrier, eng kritesch Léisung fir déi sécher an effizient Handhabung vu Hallefleitwaferen. Dëse Carrier ass konstruéiert fir déi streng Ufuerderunge vun der Hallefleitindustrie z'erhalen, fir de Schutz an d'Integritéit vun Äre Waferen am ganzen Fabrikatiounsprozess ze garantéieren.
Schlëssel Features:
•Robust Konstruktioun:DéiWafer Cassette Carrierass aus héichqualitativen, haltbaren Materialien gebaut, déi d'Rigoritéite vun de Hallefleit-Ëmfeld widderstoen, déi zuverlässeg Schutz géint Kontaminatioun a kierperleche Schued ubidden.
•Präzis Ausriichtung:Entworf fir präzis Wafer Ausrichtung, suergt dësen Carrier datt Wafere sécher op der Plaz gehale ginn, wat de Risiko vu Fehlausrichtung oder Schued beim Transport miniméiert.
•Einfach Handhabung:Ergonomesch entworf fir einfach ze benotzen, vereinfacht den Träger de Luede- an Entluedprozess, verbessert d'Workfloweffizienz an de propperem Ëmfeld.
•Kompatibilitéit:Kompatibel mat enger breet Palette vu Wafergréissten an Typen, sou datt et villsäiteg ass fir verschidde Halbleiterfabrikatiounsbedierfnesser.
Erlieft enestaende Schutz a Komfort mat Semicera'sWafer Cassette Carrier. Eise Carrier ass entwéckelt fir den héchste Standarde vun der Halbleiterfabrikatioun z'erhalen, fir sécherzestellen datt Är Wafere vun Ufank bis Enn an engem onbestëmmten Zoustand bleiwen. Vertrau Semicera fir d'Qualitéit an Zouverlässegkeet ze liwweren déi Dir braucht fir Är kriteschste Prozesser.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
