SemiceraWafer Kassettass e kriteschen Bestanddeel am Halbleiterfabrikatiounsprozess, entwéckelt fir delikat Halbleiterwafers sécher ze halen an ze transportéieren. DéiWafer Kassettbitt aussergewéinleche Schutz, garantéiert datt all Wafer fräi vu Verschmotzung a kierperleche Schued beim Ëmgank, Lagerung an Transport gehale gëtt.
Konstruéiert mat héijer Rengheet, chemesch-resistente Materialien, de SemiceraWafer Kassettgarantéiert den héchsten Niveau vun Propretéit an Haltbarkeet, essentiel fir d'Integritéit vun wafers op all Etapp vun Produktioun ze erhalen. D'Präzisiounstechnik vun dëse Kassetten erlaabt eng nahtlos Integratioun mat automatiséierte Handhabungssystemer, wat de Risiko vu Kontaminatioun a mechanesche Schued miniméiert.
Den Design vun derWafer Kassettënnerstëtzt och optimal Loftfloss an Temperatur Kontroll, déi entscheedend ass fir Prozesser déi spezifesch Ëmweltbedéngungen erfuerderen. Egal ob a propperem Zëmmer oder während der thermescher Veraarbechtung benotzt gëtt, de SemiceraWafer Kassettass konstruéiert fir déi streng Ufuerderunge vun der Hallefleitindustrie z'erreechen, zouverlässeg a konsequent Leeschtung ze bidden fir d'Produktiounseffizienz a Produktqualitéit ze verbesseren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
