Semiceraass opgereegt ze bidden2" Galliumoxid Substraten, e modernste Material entwéckelt fir d'Performance vun fortgeschratt Halbleitergeräter ze verbesseren. Dës Substrater, aus Galliumoxid (Ga2O3), hunn en ultra-breet Bandgap, sou datt se eng ideal Wiel fir High-Power, High-Frequenz an UV optoelektronesch Uwendungen maachen.
Schlëssel Features:
• Ultra-Wide Bandgap:Den2" Galliumoxid Substratenbitt en aussergewéinleche Bandgap vun ongeféier 4,8 eV, wat fir méi héich Spannung an Temperaturbetrieb erlaabt, wäit iwwer d'Fäegkeeten vun traditionellen Hallefleitmaterialien wéi Silizium.
•Aussergewéinlech Breakdown Volt: Dës Substrater erlaben Apparater wesentlech méi héich Spannungen ze handhaben, wat se perfekt mécht fir Kraaftelektronik, besonnesch an Héichspannungsapplikatiounen.
•Exzellent thermesch Konduktivitéit: Mat enger super thermescher Stabilitéit behalen dës Substrater konsequent Leeschtung och an extremen thermesche Ëmfeld, ideal fir Héichkraaft- an Héichtemperaturapplikatiounen.
•Héich Qualitéit Material:Den2" Galliumoxid Substratenbitt niddereg Defektdichten an héich kristallin Qualitéit, déi zouverlässeg an effizient Leeschtung vun Ären Halbleitergeräter garantéiert.
•Villsäiteg Uwendungen: Dës Substrate si passend fir eng Rei vun Uwendungen, dorënner Kraafttransistoren, Schottky-Dioden, an UV-C LED-Geräter, déi e robuste Fundament fir béid Kraaft an optoelektronesch Innovatiounen ubidden.
Spär dat vollt Potenzial vun Ären Halbleitergeräter mat Semicera's op2" Galliumoxid Substraten. Eis Substrate sinn entworf fir déi usprochsvoll Bedierfnesser vun den modernen fortgeschratten Uwendungen ze treffen, fir héich Leeschtung, Zouverlässegkeet an Effizienz ze garantéieren. Wielt Semicera fir modernst Halbleitermaterialien déi Innovatioun féieren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
