Semicerastellt stolz seng vir4" Galliumoxid Substraten, e banebriechend Material entwéckelt fir d'wuessend Ufuerderunge vun High-Performance Hallefleitgeräter z'erreechen. Galliumoxid (Ga2O3) Substrate bidden en ultra-breet Bandgap, sou datt se ideal sinn fir d'nächst Generatioun Kraaftelektronik, UV Optoelektronik, an Héichfrequenz Geräter.
Schlëssel Features:
• Ultra-Wide Bandgap:Den4" Galliumoxid Substratenmat engem Bandgap vun ongeféier 4,8 eV, wat eng aussergewéinlech Spannung an Temperaturtoleranz erlaabt, däitlech besser wéi traditionell Hallefleitmaterialien wéi Silizium.
•Héich Decompte Volt: Dës Substrate erméiglechen Apparater mat méi héije Spannungen a Kraaft ze bedreiwen, sou datt se perfekt sinn fir Héichspannungsapplikatiounen an der Kraaftelektronik.
•Superior thermesch Stabilitéit: Galliumoxid-Substrate bidden exzellent thermesch Konduktivitéit, suergt fir stabil Leeschtung ënner extremen Konditiounen, ideal fir an exigent Ëmfeld ze benotzen.
•Héich Material Qualitéit: Mat nidderegen Defektdichten an héijer Kristallqualitéit garantéieren dës Substrate zouverlässeg a konsequent Leeschtung, d'Effizienz an d'Haltbarkeet vun Ären Apparater verbesseren.
•Villsäiteg Applikatioun: Gëeegent fir eng breet Palette vun Uwendungen, dorënner Kraafttransistoren, Schottky-Dioden, an UV-C LED-Geräter, déi Innovatiounen a béid Kraaft an optoelektronesche Felder erlaben.
Entdeckt d'Zukunft vun der Hallefleittechnologie mat Semicera's4" Galliumoxid Substraten. Eis Substrate sinn entwéckelt fir déi fortgeschratt Uwendungen z'ënnerstëtzen, d'Zouverlässegkeet an d'Effizienz ubidden, déi fir déi modernste Geräter vun haut erfuerderlech sinn. Vertrau Semicera fir Qualitéit an Innovatioun an Ären Halbleitermaterialien.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
