1. IwwerSilicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafers
Silicon Carbide (SiC) epitaxial Wafere ginn geformt andeems een eng eenzeg Kristallschicht op engem Wafer deposéiert mat engem Siliziumkarbid Eenkristallwafer als Substrat, normalerweis duerch chemesch Dampdepositioun (CVD). Ënnert hinnen gëtt Siliziumkarbid Epitaxial virbereet andeems Siliziumkarbid Epitaxialschicht op de konduktiven Siliziumkarbidsubstrat wuessen, a weider an High-Performance-Geräter fabrizéiert.
2.Silicon Carbide Epitaxial WaferSpezifikatioune
Mir kënnen 4, 6, 8 Zoll N-Typ 4H-SiC epitaxial Wafere ubidden. D'epitaxial wafer huet grouss Bandbreedung, héich Sättigung Elektronen Drift Vitesse, héich Vitesse zwee-zweedimensional Elektronen Gas, an héich Decompte Feld Kraaft. Dës Eegeschafte maachen den Apparat héich Temperaturresistenz, Héichspannungsresistenz, séier Schaltgeschwindegkeet, niddereg Resistenz, kleng Gréisst a Liichtgewiicht.
3. SiC Epitaxial Uwendungen
SiC epitaxial wafergëtt haaptsächlech an Schottky Diode (SBD), Metalloxid Halbleiter Feldeffekt Transistor (MOSFET) Junction Field Effect Transistor (JFET), bipolare junction Transistor (BJT), thyristor (SCR), isoléierte Gate bipolare Transistor (IGBT) benotzt, déi benotzt gëtt an niddereg-Volt, mëttel- Volt an héich-Volt Felder. Momentan,SiC epitaxial wafersfir Héichspannungsapplikatiounen sinn an der Fuerschungs- an Entwécklungsphase weltwäit.
