FZ Silicon Wafers

Kuerz Beschreiwung:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie an aner ähnlech Felder ze liwweren.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Am Moment si mir deen eenzegen Hiersteller fir Rengheet 99,9999% SiC Beschichtung an 99,9% ëmkristalliséiertem Siliziumkarbid ze bidden.Déi maximal SiC Beschichtungslängt kënne mir 2640mm maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Float Zone Wafer gëtt duerch Floating Zone Schmelzmethod ugebaut (Float Zone Melting Method), och bekannt als Zone Schmelzwafer, FZ Wafer, ass eng High-Purity Silicon Wafer, kann den CZ Eenkristall riichtaus gezunne Prozess vu Siliziumwafers ersetzen.Am Verglach mat Wafere fabrizéiert mat der CZ Method, hunn zonéiert Wafere vill Virdeeler, sou wéi kee Krees, niddereg Produktiounsbelaaschtung, a keng Schmelzpunktbegrenzung, wat se ideal mécht fir Uwendungen wéi Solarmoduler, RF Apparater, a Präzisiounskraaftapparater.D'Konzentratioun vu Sauerstoff a Kuelestoff Gëftstoffer an FZ wafers ass niddereg, a Stéckstoff ass speziell dobäi seng mechanesch Kraaft ze verbesseren.

Artikel	Argument	Prouf Ufro
Quantitéit:		100 Stéck
Wuesstem Method:	Float Zone	FZ
Duerchmiesser:	50/75/100/150/200/300 mm	100 mm
Typ/Dopant:	P-Typ / N-Typ / Intrinsesch	N-Typ
Orientéierung:	<1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它	<100>
Resistivitéit:	100 ~ 30.000 ohm-cm	3000 ohm-cm
Dicke:	275 um ~ 775 um	5 00um
Ofschloss:	SSP/DSP	DSP
Flats:	Notch / Zwee SEMI Standard Appartementer	Notch
BOW/WARP:	<10 µm	<40 um
TTV:	<5 µm	<20 um
Grad:	Prime / Test / Dummy	Premier