Semicera's 6 Zoll Semi-isoléierend HPSI SiC Wafers sinn entwéckelt fir déi rigoréis Ufuerderunge vun der moderner Hallefleittechnologie z'erreechen. Mat aussergewéinlecher Rengheet a Konsistenz déngen dës Waferen als zouverlässeg Fondatioun fir héicheffizient elektronesch Komponenten z'entwéckelen.
Dës HPSI SiC Wafere si bekannt fir hir aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit an elektresch Isolatioun, déi kritesch sinn fir d'Performance vu Kraaftapparater an Héichfrequenzkreesser ze optimiséieren. Déi semi-isoléierend Eegeschaften hëllefen d'elektresch Interferenz ze minimiséieren an d'Effizienz vum Apparat ze maximéieren.
Den héichqualitativen Fabrikatiounsprozess, dee vu Semicera beschäftegt ass, garantéiert datt all Wafer eenheetlech Dicke a minimal Uewerflächefehler huet. Dës Präzisioun ass essentiell fir fortgeschratt Uwendungen wéi Radiofrequenz Geräter, Power Inverters, an LED Systemer, wou Leeschtung an Haltbarkeet Schlësselfaktoren sinn.
Andeems Dir modernste Produktiounstechniken benotzt, bitt Semicera Waferen déi net nëmmen d'Industrienormen erfëllen, mee iwwerschreiden. D'6-Zoll Gréisst bitt Flexibilitéit fir d'Produktioun opzebauen, fir béid Fuerschung a kommerziell Uwendungen am Halbleiter Secteur ze këmmeren.
Wielt Semicera's 6 Zoll Semi-isoléierend HPSI SiC Wafers heescht Investitioun an e Produkt dat konsequent Qualitéit a Leeschtung liwwert. Dës Wafere sinn Deel vum Semicera sengem Engagement fir d'Fäegkeete vun der Hallefleittechnologie duerch innovativ Materialien a virsiichteg Handwierk ze förderen.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
