Gutt Stabilitéit Héichtemperaturbeständeg Siliziumkarbid Schmelzhäre

Kuerz Beschreiwung:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir d'Hallefleiterproduktioun ze liwweren,photovoltaik Industriean aner verbonne Felder.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Als zouverléissege Fournisseur verstinn mir d'Wichtegkeet vun Verbrauchsmaterial am Fabrikatiounsprozess, a mir verpflichte Produkter ze liwweren déi den héchste Qualitéitsnormen entspriechen fir d'Bedierfnesser vun eise Clienten ze erfëllen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide ass eng nei Zort Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte.Wéinst Features wéi héich Kraaft an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen.Dofir sinn SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SIC.E puer normal Applikatioun déi mir ubidden sinn Dichtungsringen fir Pompel, Ventil a Schutzrüstung etc.

Mir sinn fäeg ze designen an ze fabrizéieren no Äre spezifesche Dimensiounen mat gudder Qualitéit a raisonnabel Liwwerzäit.

Mir kënne stabil an zouverlässeg ubiddenSiliziumkarbid Kristallboote,Siliciumcarbid Paddelen,Siliciumcarbid Schmelzhärefir d'4 Zoll bis 6 Zoll semiconductor wafer Industrie.D'Rengheet kann 99,9% erreechen ouni de Wafer ze verschmotzen.

Siliziumkarbid Schmelzhäregëtt haaptsächlech benotzt fir: 4-6 Zoll Siliziumwafer LTO = Silica, SIPOS = Oxy-Polysilicium, SI3N4 = Siliziumnitrid, PSG = Phosphosilisiumglas, POLY = Polysiliciumfilmwachstum.Et ass de Rohmaterial Gas (oder flësseg Quell Vergasung) aktivéiert duerch thermesch Energie fir e festen Film op der Uewerfläch vum Substrat ze generéieren.Niddereg Drock chemesch Dampdepositioun gëtt bei nidderegen Drock duerchgefouert, wéinst dem nidderegen Drock ass den duerchschnëttleche fräie Wee vu Gasmoleküle grouss, sou datt d'Uniformitéit vum erwuessene Film gutt ass, an de Substrat kann vertikal plazéiert ginn an d'Quantitéit vun Luede ass grouss, besonnesch gëeegent fir grouss-Skala integréiert Circuiten, diskret Apparater, Muecht elektronesch Apparater, optoelektronesch Apparater an optesch Léngen an aner Industrien vun industriell Produktioun speziell Ausrüstung.

Uwendungen:

-Verschleißbeständeg Feld: Busch, Plack, Sandstrahldüse, Zyklonfassung, Schleiffass, asw ...

-Héichtemperaturfeld: siC Plack, Quenching Uewen Tube, Strahlungsröhr, Crucible, Heizelement, Roller, Beam, Wärmetauscher, Kale Loftleitung, Brennernozzle, Thermokoppel Schutzröhr, SiC Boot, Kiln Auto Struktur, Setter, etc.

-Militär Bulletproof Feld

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC Wafer Boot, sic Chuck, sic Paddel, sic Kassett, sic Diffusiounsröhr, Wafer Gabel, Saugplack, Guideway, etc.

-Silicon Carbide Seal Field: all Zorte vun Dichtungsring, Lager, Busch, etc.

-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.

-Lithium Batterie Feld