Silicon Carbide Substrate|SiC Wafers

Kuerz Beschreiwung:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie an aner ähnlech Felder ze liwweren.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Am Moment si mir deen eenzegen Hiersteller fir Rengheet 99,9999% SiC Beschichtung an 99,9% ëmkristalliséiertem Siliziumkarbid ze bidden.Déi maximal SiC Beschichtungslängt kënne mir 2640mm maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide (SiC) Eenkristallmaterial huet eng grouss Band Spalt Breet (~ Si 3 Mol), héich thermesch Leit (~ Si 3,3 Mol oder GaAs 10 Mol), héich Elektronen Sättigung Migratioun Taux (~ Si 2,5 Mol), héich Decompte elektresch Feld (~ Si 10 Mol oder GaAs 5 Mol) an aner aussergewéinlech Charakteristiken.

SiC Apparater hunn irreplaceable Virdeeler am Beräich vun héich Temperatur, héich Drock, héich Frequenz, héich Muecht elektronesch Apparater an extrem Ëmwelt- Uwendungen wéi Raumfaarttechnik, militäresch, nuklear Energie, etc. Uwendungen, a ginn no an no de Mainstream vu Kraafthalbleiteren.

4H-SiC Silicon Carbide Substrat Spezifikatioune

Artikel 项目	Spezifikatioune 参数
Polytyp 晶型	4H - SiC	6H- SiC
Duerchmiesser 晶圆直径	2 Zoll \|3 Zoll \|4 Zoll \|6 zoll	2 Zoll \|3 Zoll \|4 Zoll \|6 zoll
Dicke 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Konduktivitéit 导电类型	N – Typ / Semi-isoléierend N型导电片/ 半绝缘片	N – Typ / Semi-isoléierend N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Stickstoff)V (Vanadium)	N2 (Stickstoff) V (Vanadium)
Orientéierung 晶向	Op der Achs <0001> Off Achs <0001> Off 4°	Op der Achs <0001> Off Achs <0001> Off 4°
Resistivitéit 电阻率	0,015 ~ 0,03 Ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 Ohm-cm (6H-N)
Mikropipe Density (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Béi / Knascht 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Uewerfläch 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Grad 产品等级	Produktioun / Fuerschung Grad	Produktioun / Fuerschung Grad
Crystal Stacking Sequenz 堆积方式	ABCB	ABCABC
Gitter Parameter 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3.073A, c=15.117A
zB/eV(Band-Gap) 禁带宽度	3,27 eng	3,02 eV
ε (Dielektresch Konstant) 介电常数	9.6	9,66
Refraktioun Index 折射率	n0 = 2.719 ne = 2.777	n0 =2.707, ne =2.755

6H-SiC Silicon Carbide Substrat Spezifikatioune

Artikel 项目	Spezifikatioune 参数
Polytyp 晶型	6H-SiC
Duerchmiesser 晶圆直径	4 Zoll \|6 zoll
Dicke 厚度	350 μm ~ 450 μm
Konduktivitéit 导电类型	N – Typ / Semi-isoléierend N型导电片/ 半绝缘片
Dopant 掺杂剂	N2 (Stickstoff) V (Vanadium)
Orientéierung 晶向	<0001> Off 4°± 0,5°
Resistivitéit 电阻率	0,02 ~ 0,1 Ohm-cm (6H-N Typ)
Mikropipe Density (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Béi / Knascht 翘曲度	≤25 μm
Uewerfläch 表面处理	Si Gesiicht: CMP, Epi-Ready C Gesiicht: Optesch polnesche
Grad 产品等级	Fuerschung Grad