Anti-Oxidatioun héich Rengheet SiC Beschichtete MOCVD Schacht

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir d'Hallefleiterproduktioun ze liwweren,photovoltaik Industriean aner verbonne Felder.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Als zouverléissege Fournisseur verstinn mir d'Wichtegkeet vun Verbrauchsmaterial am Fabrikatiounsprozess, a mir verpflichte Produkter ze liwweren déi den héchste Qualitéitsnormen entspriechen fir d'Bedierfnesser vun eise Clienten ze erfëllen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Moleküle op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert, bilden engSiC Schutzschicht.

Main Fonctiounen

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Hardness	Vickers Hardness	2500
Grain Gréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99,99995
Hëtzt Kapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatioun Temperatur	℃	2700
Felexural Kraaft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt Béi, 1300 ℃)	430
Thermal Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitung	(W/mK)	300