SiC Beschichtete Prozess fir Graphitbasis SiC Beschichtete Graphit Carriers

Mir behalen ganz enk Toleranzen beim Uwendung vun derSiC Beschichtung, mat héijer Präzisiounsveraarbechtung fir en eenheetleche Susceptorprofil ze garantéieren.Mir produzéiere och Material mat ideal elektresch Resistenz Eegeschafte fir benotzen an inductively gehëtzt Systemer.All fäerdeg Komponente kommen mat engem Rengheet an Dimensiounskonformitéitszertifika.

Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer vun CVD Method op der Uewerfläch vun GRAPHITE, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silicon bei héich Temperatur reagéieren héich Rengheet SiC Molekülle ze kréien, Molekülle op der Uewerfläch vun der Beschichtete Material deposéiert, Form SIC Schutzschicht.De geformte SIC ass fest an d'Grafitbasis gebonnen, wat d'Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, sou datt d'Uewerfläch vum Grafit kompakt ass, Porositéitfräi, Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet.

CVD Prozess liwwert extrem héich Rengheet an theoretesch Dicht vunSiC Beschichtungouni Porositéit.Wat méi ass, well Siliziumkarbid ganz haart ass, kann et op eng spigelähnlech Uewerfläch poléiert ginn.CVD Silicon Carbide (SiC) Beschichtunggeliwwert verschidde Virdeeler dorënner ultra-héich Rengheet Uewerfläch an extrem zouzedrécken Haltbarkeet.Well d'beschichtete Produkter super Leeschtung an héije Vakuum an héijen Temperaturen hunn, si si ideal fir Uwendungen an der Hallefleitindustrie an aner ultra-propper Ëmfeld.Mir bidden och pyrolytesch Graphit (PG) Produkter.