Silicon Carbide ass eng nei Zort Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte.Wéinst Features wéi héich Kraaft an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen.Dofir sinn SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SIC.E puer normal Applikatioun déi mir ubidden sinn Dichtungsringen fir Pompel, Ventil a Schutzrüstung etc.
Mir sinn fäeg ze designen an ze fabrizéieren no Äre spezifesche Dimensiounen mat gudder Qualitéit a raisonnabel Liwwerzäit.
AVirdeeler:
Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz
Excellent Corrosion Resistenz
Gutt Abrasion Resistenz
Héich Koeffizient vun der Wärmeleitung
Self-lubricity, niddereg Dicht
Héich hardness
Benotzerdefinéiert Design.
Uwendungen:
-Verschleißbeständeg Feld: Busch, Plack, Sandstrahldüse, Zyklonfassung, Schleiffass, asw ...
-Héichtemperaturfeld: siC Plack, Quenching Uewen Tube, Strahlungsröhr, Crucible, Heizelement, Roller, Beam, Wärmetauscher, Kale Loftleitung, Brennernozzle, Thermokoppel Schutzröhr, SiC Boot, Kiln Auto Struktur, Setter, etc.
-Militär Bulletproof Feld
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC Wafer Boot, sic Chuck, sic Paddel, sic Kassett, sic Diffusiounsröhr, Wafer Gabel, Saugplack, Guideway, etc.
-Silicon Carbide Seal Field: all Zorte vun Dichtungsring, Lager, Busch, etc.
-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.
-Lithium Batterie Feld
Technesch Parameteren
-
Benotzerdefinéiert Semiconductor ICP Schacht (Ätzen)
-
Maximaliséiert Ausbezuele a Leeschtung mat Semi-Ceras ...
-
SiC Beschichtete Graphitfass fir Epitaxial Wuesstem
-
CVD Epitaxial Oflagerung Am Epitaxie Reaktor System
-
Semi-ceras Barrel Reactor: Driving Innovation i ...
-
LED Etch Silicon Carbide Lager Schacht, ICP Schacht ...