FocusCVD SiC Ringass e Siliziumkarbid (SiC) Ringmaterial virbereet duerch Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) Technologie.
FocusCVD SiC Ringhuet vill excellent Leeschtung Charakteristiken. Éischtens, huet et héich hardness, héich Schmelzpunkt an excellent héich Temperatur Resistenz, a kann Stabilitéit a strukturell Integritéit ënner extrem Temperatur Konditiounen erhalen. Zweetens, FocusCVD SiC Ringhuet excellent chemesch Stabilitéit a corrosion Resistenz, an huet héich Resistenz zu korrosive Medien wéi Saieren an alkalis. Zousätzlech huet et och exzellent thermesch Konduktivitéit a mechanesch Kraaft, déi gëeegent ass fir Applikatiounsufuerderungen an héijen Temperaturen, héijen Drock a korrosive Ëmfeld.
FocusCVD SiC Ringass vill a ville Beräicher benotzt. Et gëtt dacks fir thermesch Isolatioun a Schutzmaterialien vun Héichtemperaturausrüstung benotzt, wéi Héichtemperaturofen, Vakuumgeräter a chemesche Reaktoren. Zousätzlech, FocusCVD SiC Ringkann och an der Optoelektronik, Hallefleitfabrikatioun, Präzisiounsmaschinnen a Raumfaart benotzt ginn, déi héich performant Ëmwelttoleranz an Zouverlässegkeet ubitt.
✓ Top Qualitéit am China Maart
✓ Gutt Service ëmmer fir Iech, 7*24 Stonnen
✓ Kuerz Liwwerdatum
✓ Kleng MOQ wëllkomm an akzeptéiert
✓ Benotzerdefinéiert Servicer
Epitaxy Wuesstem Susceptor
Silizium / Siliciumcarbid Wafere mussen duerch verschidde Prozesser goen fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. E wichtege Prozess ass Silizium / Sic Epitaxie, an där Silizium / Sic Wafere op enger Grafitbasis gedroe ginn. Besonnesch Virdeeler vum Semicera Siliziumkarbid-beschichtete Grafitbasis enthalen extrem héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung an extrem laang Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
LED Chip Produktioun
Wärend der extensiv Beschichtung vum MOCVD-Reaktor bewegt d'planetaresch Basis oder den Träger de Substratwafer. D'Performance vum Basismaterial huet e groussen Afloss op d'Beschichtungsqualitéit, wat am Tour d'Schrottrate vum Chip beaflosst. Semicera's Siliziumkarbid-beschichtete Base erhéicht d'Fabrikatiounseffizienz vu qualitativ héichwäerteg LED Waferen a miniméiert d'Wellenlängtabweichung. Mir liwweren och zousätzlech Graphitkomponente fir all MOCVD Reaktoren déi aktuell am Gebrauch sinn. Mir kënne bal all Komponent mat enger Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, och wann de Komponentdurchmesser bis zu 1,5M ass, kënne mir nach ëmmer mat Siliziumkarbid beschichten.
Semiconductor Field, Oxidatiounsdiffusiounsprozess, etc.
Am Halbleiterprozess erfuerdert den Oxidatiounsexpansiounsprozess héich Produktreinheet, a bei Semicera bidde mir personaliséiert a CVD Beschichtungsservicer fir d'Majoritéit vu Siliziumkarbiddeeler.
Déi folgend Bild weist de rau veraarbechte Siliciumcarbid-Schlämm vu Semicea an de Siliziumkarbid-Uewenröhr deen an der 100 gebotzt gëtt0- NiveauStëbs-gratisZëmmer. Eis Aarbechter schaffen virum Beschichtung. D'Rengheet vun eisem Siliziumkarbid kann 99,99% erreechen, an d'Rengheet vun der sic Beschichtung ass méi wéi 99,99995%.
Raw Silicon Carbide Paddle a SiC Prozess Tube am Cleaning
Silicon Carbide Wafer Boot CVD SiC Beschichtete
