Semicerahoufreg offréiertGa2O3Epitaxie, eng modernst Léisung entwéckelt fir d'Grenze vun der Kraaftelektronik an der Optoelektronik ze drécken. Dës fortgeschratt epitaxial Technologie benotzt déi eenzegaarteg Eegeschafte vu Galliumoxid (Ga2O3) fir super Leeschtung an usprochsvollen Uwendungen ze liwweren.
Schlëssel Features:
• Aussergewéinlech Wide Bandgap: Ga2O3EpitaxieFonctiounen en ultra-breet Bandgap, wat fir méi héich Decompte Spannungen an efficace Operatioun an héich-Muecht Ëmfeld erlaabt.
•Héich thermesch Konduktivitéit: D'Epitaxialschicht bitt exzellent thermesch Konduktivitéit, suergt fir stabil Operatioun och ënner héijer Temperaturbedéngungen, sou datt et ideal ass fir Héichfrequenz Geräter.
•Superior Material Qualitéit: Erreechen héich Kristallqualitéit mat minimale Mängel, fir eng optimal Geräterleistung a Liewensdauer ze garantéieren, besonnesch a kriteschen Uwendungen wéi Kraafttransistoren an UV Detektoren.
•Villsäitegkeet an Uwendungen: Perfekt gëeegent fir Kraaftelektronik, RF Uwendungen, an Optoelektronik, déi eng zouverlässeg Basis fir d'nächst Generatioun Hallefleitgeräter ubitt.
Entdeckt d'Potenzial vunGa2O3Epitaxiemat Semicera seng innovativ Léisungen. Eis epitaxial Produkter sinn entwéckelt fir den héchste Standarde vu Qualitéit a Leeschtung z'erreechen, wat Är Apparater erlaabt mat maximaler Effizienz an Zouverlässegkeet ze bedreiwen. Wielt Semicera fir opzedeelen Hallefleit Technologie.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Béi | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
