Semicera ass houfreg de presentéierenGa2O3Substrat, e modernste Material fir d'Kraaftelektronik an d'Optoelektronik ze revolutionéieren.Galliumoxid (Ga2O3) Substratesi bekannt fir hir ultra-breet Bandgap, sou datt se ideal fir High-Power an High-Frequenz Geräter sinn.
Schlëssel Features:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 bitt e Bandgap vun ongeféier 4.8 eV, wat seng Fäegkeet fir héich Spannungen an Temperaturen ze handhaben am Verglach mat traditionelle Materialien wéi Silicon a GaN erheblech verbessert.
• High Decompte Volt: Mat engem aussergewéinlechen Decompte Terrain, derGa2O3Substratass perfekt fir Apparater déi Héichspannungsoperatioun erfuerderen, fir méi Effizienz an Zouverlässegkeet ze garantéieren.
• Thermal Stabilitéit: D'Material super thermesch Stabilitéit mécht et gëeegent fir Uwendungen an extremen Ëmfeld, d'Performance och ënner haarde Konditiounen erhalen.
• Versatile Applikatiounen: Ideal fir ze benotzen an héicheffizienten Kraafttransistoren, UV optoelektronesch Geräter a méi, déi e robuste Fundament fir fortgeschratt elektronesch Systemer ubidden.
Erlieft d'Zukunft vun der Hallefleittechnologie mat Semicera'sGa2O3Substrat. Entworf fir de wuessende Fuerderunge vun der Héichkraaft an der Héichfrequenz Elektronik ze treffen, setzt dëse Substrat en neie Standard fir Leeschtung an Haltbarkeet. Vertrau Semicera fir innovativ Léisunge fir Är schwieregst Uwendungen ze liwweren.
| Artikelen | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| Crystal Parameteren | |||
| Polytyp | 4H | ||
| Uewerfläch Orientéierung Feeler | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektresch Parameteren | |||
| Dopant | n-Typ Stickstoff | ||
| Resistivitéit | 0,015-0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanesch Parameteren | |||
| Duerchmiesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primär flaach Orientéierung | [1-100] ± 5° | ||
| Primär flaach Längt | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secondaire Appartement | Keen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Boun | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Front (Si-Face) Rauhegkeet (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikropipe Dicht | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metal Gëftstoffer | ≤5E10 Atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Front Qualitéit | |||
| Front | Si | ||
| Surface Finish | Si-Gesiicht CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (Gréisst≥0.3μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5 ea/mm. Kumulativ Längt ≤ Duerchmiesser | Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA |
| Orangeschielen / Pits / Flecken / Sträifen / Rëss / Kontaminatioun | Keen | NA | |
| Kantchips / Abriecher / Fraktur / Hexplacke | Keen | ||
| Polytype Beräicher | Keen | Kumulative Beräich ≤20% | Kumulativ Beräich ≤30% |
| Front Laser Marquage | Keen | ||
| Zréck Qualitéit | |||
| Back Finish | C-Gesiicht CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Kumulativ Längt≤2*Duerchmiesser | NA | |
| Réckdefekter (Randchips/Abrécken) | Keen | ||
| Réck roughness | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Réck Laser Marquage | 1 mm (vun uewen Rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakung | |||
| Verpakung | Epi-prett mat Vakuumverpackung Multi-Wafer Kassett Verpakung | ||
| * Notizen: "NA" heescht keng Ufro Artikelen déi net ernimmt kënne bezéie sech op SEMI-STD. | |||
