SiC Wafer Boot
Silicon Carbide wafer Bootass e Belaaschtungsapparat fir Waferen, haaptsächlech an Solar- a Halbleiterdiffusiounsprozesser benotzt. Et huet Charakteristiken wéi Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Héichtemperatur Impaktbeständegkeet, Resistenz géint Plasma-Bombardement, Héichtemperaturlagerkapazitéit, héich thermesch Konduktivitéit, héich Wärmevergëftung, a laangfristeg Notzung, déi net einfach ze béien an deforméieren. Eis Gesellschaft benotzt héich Puritéit Siliziumkarbidmaterial fir d'Liewensdauer ze garantéieren a bitt personaliséiert Designen, inklusiv. verschidde vertikal an horizontalwafer Boot.
SiC Paddel
DéiSiliciumcarbid Cantilever Paddelgëtt haaptsächlech an der (Diffusioun) Beschichtung vu Siliziumwaferen benotzt, déi eng entscheedend Roll bei der Belaaschtung an dem Transport vu Siliziumwafer bei héijer Temperatur spillt. Et ass e Schlësselkomponent vunsemiconductor waferLuede Systemer an huet déi folgend Haaptcharakteristike:
1. Et deforméiert net an héich Temperaturen Ëmfeld an huet eng héich Laaschtkraaft op d'Wafer;
2. Et ass resistent géint extrem Kälte a séier Hëtzt, an huet e laang Liewensdauer;
3. Den thermesche Expansiounskoeffizient ass kleng, erweidert den Ënnerhalt a Botzenzyklus staark a reduzéiert d'Verschmotzung wesentlech.
SiC Uewen Tube
Silicon Carbide Prozess Rouer, aus héichreiniger SiC ouni metallesch Gëftstoffer, verschmotzt de Wafer net, an ass gëeegent fir Prozesser wéi Hallefleit a Photovoltaik Diffusioun, Glühwäin an Oxidatiounsprozess.
SiC Robotarm
SiC Roboterarm, och bekannt als Wafer Transfer Endeffektor, ass e Roboterarm benotzt fir Hallefleitwaferen ze transportéieren a gëtt wäit an der Hallefleit, optoelektronescher a Sonnenenergieindustrie benotzt. Mat héijer Rengheet Siliziumkarbid, mat héijer Hardness, Verschleißbeständegkeet, seismesch Resistenz, laangfristeg Notzung ouni Verformung, laang Liewensdauer, asw, kënne personaliséiert Servicer ubidden.
Graphit fir Kristallwachstum
Graphite Hëtzt Schëld
Grafit Elektroden Röhre
Grafit Deflektor
Graphite Schacht
All Prozesser, déi fir d'Erweiderung vun Halbleiter Crvstals benotzt ginn, funktionnéieren an héijen Temperaturen a korrosive Ëmfeld. Déi waarm Zone vum Kristallwachstumofen ass normalerweis mat Hëtztbeständeg a korrosionsbeständeg héich Rengheet eguinned. GRAPHITE Komponenten, wéi GRAPHITE Heizungen, Crucibles, Zylinder, Deflector, Chucks, Réier, Réng, Halter, Nëss, etc Eist fäerdegt Produkt kann en Äschegehalt manner wéi 5ppm erreechen.
Grafit fir Semidonductor Epitaxy
Graphite Base
Grafit Epitaxial Faass
Monocry Stalline Silicon Epitaxial Base
MOCVD Graphite Deeler
Semiconductor Graphite Fixture
Epitaxial Prozess bezitt sech op de Wuesstum vun engem eenzege Kristallmaterial op engem eenzege Kristallsubstrat mat der selwechter Gitterarrangement wéi de Substrat. Et verlaangt vill ultra-héich Rengheet GRAPHITE Deeler a GRAPHITE Basis mat SIC Beschichtung. D'héich Rengheet GRAPHITE benotzt fir semiconductor epitaxy huet eng breet Palette vun Uwendungen, déi meescht allgemeng benotzt Equipement an der Industrie Match kann, Zur selwechter Zäit, huet et extrem héich. Rengheet, eenheetlech Beschichtung, exzellent Liewensdauer, an extrem héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.
Isolatioun Material an aner
Thermesch Isolatiounsmaterialien, déi an der Hallefleitproduktioun benotzt ginn, sinn GRAPHITE hart gefillt, mëll gefillt, GRAPHITE Folie, Kuelestoff Komposit Materialien, etc. Eis Matière première sinn importéiert GRAPHITE Materialien, déi no der Spezifizéierung vun Clienten geschnidde ginn, a kann och als verkaf ginn. ganz. Kuelestoffkompositmaterial gëtt normalerweis als Träger fir Solarmonokristall a Polysilisiumzellproduktiounsprozess benotzt.