Semicera bitt spezialiséiert Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir verschidde Komponenten an Träger.Semicera Semicera féierende Beschichtungsprozess erméiglecht Tantalkarbid (TaC) Beschichtungen fir héich Rengheet, héich Temperaturstabilitéit an héich chemesch Toleranz z'erreechen, d'Produktqualitéit vu SIC / GAN Kristalle an EPI Schichten ze verbesseren (Graphit Beschichtete TaC susceptor), an d'Liewen vun de Schlësselreakterkomponenten verlängeren. D'Benotzung vun Tantal Carbide TaC Beschichtung ass de Randproblem ze léisen an d'Qualitéit vum Kristallwachstum ze verbesseren, an Semicera huet den Duerchbroch d'Tantalkarbidbeschichtungstechnologie (CVD) geléist, an den internationale fortgeschrattem Niveau erreecht.
No Joer vun Entwécklung, Semicera huet d'Technologie vun eruewertCVD TaCmat de gemeinsame Efforte vum R&D Departement. Mängel sinn einfach am Wuesstumsprozess vu SiC Wafere optrieden, awer nom GebrauchTaC, den Ënnerscheed ass bedeitend. Drënner ass e Verglach vu Wafere mat an ouni TaC, souwéi Semicera 'Deeler fir Eenkristallwachstum
mat an ouni TaC
Nodeems Dir TaC benotzt (riets)
Zousätzlech ass d'Liewensdauer vun de Semicera TaC Beschichtungsprodukter méi laang a méi resistent géint héich Temperaturen wéi déi vun der SiC Beschichtung. No enger laanger Zäit vu Labormessdaten, kann eisen TaC fir eng laang Zäit op maximal 2300 Grad Celsius schaffen. Déi folgend sinn e puer vun eise Proben:
(a) Schematesch Diagramm vu SiC Eenkristallingott wuessen Apparat duerch PVT Method (b) Top TaC Beschichtete Som Klammer (inklusiv SiC Som) (c) TAC Beschichtete Grafit Guide Ring
