SiC Pin Schacht fir ICP Ätzprozesser an der LED Industrie

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide ass eng nei Zort Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte.Wéinst Features wéi héich Kraaft an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen.Dofir sinn SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SIC.

Mir sinn fäeg ze designen an ze fabrizéieren no Äre spezifesche Dimensiounen mat gudder Qualitéit a raisonnabel Liwwerzäit.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produkt beschreiwung

Eis Gesellschaft liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Moleküle op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert, SIC Schutzschicht bilden.

Haaptfeatures:

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:

d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.

2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.

3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.

4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Hardness	Vickers Hardness	2500
Grain Gréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99,99995
Hëtzt Kapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatioun Temperatur	℃	2700
Felexural Kraaft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt Béi, 1300 ℃)	430
Thermal Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitung	(W/mK)	300