Laang Service Liewen SiC Beschichtete Graphit Carrier Fir Solar Wafer

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide ass eng nei Zort Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte. Wéinst Features wéi héich Stäerkt an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen. Dofir sinn SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SIC. E puer normal Applikatioun déi mir ubidden sinn Dichtungsringen fir Pompel, Ventil a Schutzrüstung etc.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Virdeeler

Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz
Excellent Corrosion Resistenz
Gutt Abrasion Resistenz
Héich Koeffizient vun der Wärmeleitung
Self-lubricity, niddereg Dicht
Héich hardness
Benotzerdefinéiert Design.

Uwendungen

-Verschleißbeständeg Feld: Busch, Plack, Sandstrahldüse, Zyklonfassung, Schleiffass, asw ...
-Héichtemperaturfeld: siC Plack, Quenching Furnace Tube, Radiant Tube, Crucible, Heizelement, Roller, Beam, Heat Exchanger, Cold Air Pipe, Brenner Nozzle, Thermocouple Protection Tube, SiC Boot, Kiln Auto Structure, Setter, etc.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC Wafer Boot, sic Chuck, sic Paddel, sic Kassett, sic Diffusiounsröhr, Wafer Gabel, Saugplack, Guideway, etc.
-Silicon Carbide Seal Field: all Zorte vun Dichtungsring, Lager, Busch, etc.
-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.
-Lithium Batterie Feld

WAFER (1)

WAFER (2)

Physikalesch Eegeschafte vu SiC

Immobilie	Wäert	Method
Dicht	3,21 g/cc	Sink-float an Dimensioun
Spezifesch Hëtzt	0,66 J/g °K	Pulséiert Laser Flash
Flexural Kraaft	450 MPa 560 MPa	4 Punkt Béi, RT4 Punkt Béi, 1300°
Fracture Zähegkeet	2,94 MPa m1/2	Mikroindentatioun
Hardness	2800	Vicker's, 500g Laascht
Elastic Modulus Young's Modulus	450 GPa430 GPa	4 pt béien, RT4 pt béien, 1300 °C
Grain Gréisst	2-10 µm	SEM

Thermesch Eegeschafte vu SiC

Thermesch Konduktivitéit	250 W/m °K	Laser Flash Method, RT
Thermal Expansioun (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Raumtemperatur bis 950 °C, Silikadilatometer

Technesch Parameteren

Artikel	Eenheet	Daten
Artikel	Eenheet	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC Inhalt	%	85	75	99	99,9	≥99
Gratis Silizium Inhalt	%	15	0	0	0	0
Max Service Temperatur	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Dicht	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Open Porositéit	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Béi Kraaft 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Béi Kraaft 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastizitéitsmodul 20 ℃	Gpa	330	580	420	240	/
Elastizitéitsmodul 1200 ℃	Gpa	300	/	/	200	/
Wärmekonduktivitéit 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36,6	/
Koeffizient vun der thermescher Expansioun	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4,69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

D'CVD Silicon Carbide Beschichtung op der baussenzeger Uewerfläch vu rekristalliséierte Siliziumkarbid Keramikprodukter kann eng Rengheet vu méi wéi 99,9999% erreechen fir d'Bedierfnesser vun de Clienten an der Hallefleitindustrie z'erreechen.