PART/1
Crucible, Somhalter a Guidering am SiC an AIN Eenkristallofen goufen duerch PVT Method ugebaut
Wéi an der Figur 2 [1] gewisen, wann d'physesch Dampfertransportmethod (PVT) benotzt gëtt fir SiC ze preparéieren, ass de Somkristall an der relativ niddereger Temperaturregioun, de SiC Rohmaterial ass an der relativ héijer Temperaturregioun (iwwer 2400)℃), an d'Rohmaterial zerfällt fir SiXCy ze produzéieren (haaptsächlech och Si, SiC₂, Si₂C, etc.).D'Dampphasematerial gëtt vun der Héichtemperaturregioun an de Somkristall an der Tieftemperaturregioun transportéiert, fOrming Som Käre, wuessen, a generéieren eenzel Kristalle.Déi thermesch Feldmaterialien, déi an dësem Prozess benotzt ginn, sou wéi d'Kraaft, de Flowguidering, d'Saumkristallhalter, solle resistent géint héich Temperaturen sinn a wäerten SiC Rohmaterialien a SiC Eenkristallen net verschmotzen.Ähnlech mussen d'Heizelementer am Wuesstum vun AlN Eenkristallen resistent géint Al Damp, N sinn.₂Korrosioun, a muss eng héich eutektesch Temperatur hunn (mat AlN) fir d'Kristallpräparatiounsperiod ze verkierzen.
Et gouf fonnt datt de SiC [2-5] an AlN [2-3] virbereet duerchTaC beschichtetgraphite thermesch Feldmaterialien ware méi propper, bal kee Kuelestoff (Sauerstoff, Stickstoff) an aner Gëftstoffer, manner Randfehler, méi kleng Resistivitéit an all Regioun, an d'Mikropore Dicht an d'Ätspitdensitéit goufe wesentlech reduzéiert (no KOH Ätzen), an d'Kristallqualitéit gouf staark verbessert.Zousätzlech,TaC CrècheGewiichtsverloscht ass bal null, d'Erscheinung ass net-zerstéierend, kann recycléiert ginn (Liewen bis zu 200h), kann d'Nohaltegkeet an d'Effizienz vun esou engem Kristallpräparatioun verbesseren.
FIG.2. (eng) Schematesch Diagramm vun SiC Single Kristallsglas produzéiert ingot wuessen Apparat vun PVT Method
(b) TopTaC beschichtetSom Klammer (inklusiv SiC Som)
(c)TAC-beschichtete Grafit Guide Ring
PART/2
MOCVD GaN epitaxial Layer wuessen Heizung
Wéi an der Figur 3 (a) gewisen, ass MOCVD GaN Wuesstum eng chemesch Dampdepositiounstechnologie déi organometresch Zersetzungsreaktioun benotzt fir dënn Filmer duerch Dampeppitaxialwachstum ze wuessen.D'Temperaturgenauegkeet an d'Uniformitéit an der Kavitéit maachen den Heizung de wichtegste Kärkomponent vun der MOCVD Ausrüstung.Ob de Substrat fir eng laang Zäit séier an eenheetlech erhëtzt ka ginn (ënner widderholl Ofkillung), d'Stabilitéit bei héijer Temperatur (Resistenz géint Gaskorrosioun) an d'Rengheet vum Film beaflossen direkt d'Qualitéit vun der Filmdepositioun, d'Dicke Konsistenz, an d'Leeschtung vum Chip.
Fir d'Performance an d'Recyclingseffizienz vum Heizung am MOCVD GaN Wuesstumssystem ze verbesseren,TAC-beschichteteGraphitheizung gouf erfollegräich agefouert.Am Verglach mat GaN epitaxial Schicht ugebaut duerch konventionell Heizung (mat pBN Beschichtung), GaN epitaxial Layer ugebaut vun TaC Heizung huet bal déi selwecht Kristallsglas produzéiert Struktur, deck Uniformitéit, intrinsesch Mängel, Gëftstoffer Doping a Kontaminatioun.Zousätzlech, derTaC Beschichtunghuet niddereg resistivity an niddereg Uewerfläch emissivity, déi d'Effizienz an d'Uniformitéit vun der Heizung verbesseren kann, an domat Muecht Konsum an Hëtzt Verloscht reduzéieren.D'Porositéit vun der Beschichtung kann ugepasst ginn andeems d'Prozessparameter kontrolléiert ginn fir d'Strahlungseigenschaften vum Heizung weider ze verbesseren an hir Liewensdauer ze verlängeren [5].Dës Virdeeler maachenTaC beschichtetGraphitheizungen eng exzellent Wiel fir MOCVD GaN Wuesstumssystemer.
FIG.3. (eng) Schematesch Diagramm vun MOCVD Apparat fir GaN epitaxial Wuesstem
(b) Geformt TAC-beschichtete Grafitheizung installéiert am MOCVD-Setup, ausser Basis a Klammer (Illustratioun weist Basis a Klammer an der Heizung)
(c) TAC-beschichtete Grafitheizung no 17 GaN epitaxialem Wuesstum.[6]
PART/3
Beschichtete Susceptor fir Epitaxie (Wafer Carrier)
Wafer Carrier ass e wichtege strukturelle Bestanddeel fir d'Virbereedung vu SiC, AlN, GaN an aner Drëtt Klass Hallefleitwaferen an epitaxial Wafer Wuesstum.Déi meescht vun de Waferträger sinn aus Grafit a mat SiC Beschichtung beschichtet fir Korrosioun vu Prozessgase ze widderstoen, mat engem epitaxialen Temperaturbereich vun 1100 bis 1600°C, an d'Korrosiounsbeständegkeet vun der Schutzbeschichtung spillt eng entscheedend Roll am Liewen vum Wafer Carrier.D'Resultater weisen datt d'Korrosiounsquote vum TaC 6 Mol méi lues ass wéi SiC bei héijer Temperatur Ammoniak.Bei héijer Temperatur Waasserstoff ass d'Korrosiounsquote souguer méi wéi 10 Mol méi lues wéi SiC.
Et gouf duerch Experimenter bewisen datt d'Tabletten déi mat TaC bedeckt sinn gutt Kompatibilitéit am bloe Liicht GaN MOCVD Prozess weisen an keng Gëftstoffer aféieren.No limitéierter Prozessanpassungen weisen d'LEDs, déi mat TaC Carrier ugebaut sinn, déi selwecht Leeschtung an Uniformitéit wéi konventionell SiC Carrier.Dofir ass d'Liewensdauer vun TAC-beschichtete Paletten besser wéi dee vu bloe Steen Tënt aSiC beschichtetgraphite Paletten.
Post Zäit: Mar-05-2024