Eegeschaften:
D'Resistivitéit vu Keramik mat Halbleitereigenschaften ass ongeféier 10-5 ~ 107ω.cm, an d'Hallefuedereigenschaften vu Keramikmaterialien kënnen duerch Doping kritt ginn oder Gitterfehler verursaacht duerch stoichiometresch Deviatioun.Keramik mat dëser Method enthält TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 a SiC.Déi verschidde Charakteristiken vunsemiconductor Keramiksinn datt hir elektresch Konduktivitéit mat der Ëmwelt ännert, wat benotzt ka ginn fir verschidden Aarte vu Keramikempfindlech Geräter ze maachen.
Wéi Hëtztempfindlech, Gasempfindlech, Fiichtegkeetsempfindlech, Drockempfindlech, Liichtempfindlech an aner Sensoren.Semiconductor Spinelmaterialien, wéi Fe3O4, gi gemëscht mat Net-Leeder Spinelmaterialien, wéi MgAl2O4, a kontrolléiert feste Léisungen.
MgCr2O4, an Zr2TiO4, kënnen als Thermistor benotzt ginn, déi suergfälteg kontrolléiert Resistenzgeräter sinn, déi mat der Temperatur variéieren.ZnO ka geännert ginn andeems Oxide wéi Bi, Mn, Co a Cr derbäigesat ginn.
Déi meescht vun dësen Oxide sinn net fest an ZnO opgeléist, awer Oflenkung op der Kärgrenz fir eng Barrièreschicht ze bilden, fir ZnO Varistor Keramikmaterialien ze kréien, an ass eng Aart Material mat der beschter Leeschtung an Varistor Keramik.
SiC Doping (wéi mënschlecht Kuelestoff, Graphitpulver) ka preparéierensemiconductor Materialienmat héich Temperatur Stabilitéit, benotzt als verschidde Resistenz Heizung Elementer, dat ass, Silicon Kuelestoff Staang an héich Temperatur elektresch Schmelzhäre.Kontrolléiert d'Resistivitéit an de Querschnitt vu SiC fir bal alles gewënscht z'erreechen
Operatiounsbedéngungen (bis zu 1500 ° C), d'Erhéijung vun der Resistivitéit an d'Reduktioun vum Querschnitt vum Heizelement erhéijen d'Hëtzt generéiert.Silicon Kuelestoff Staang an der Loft wäert Oxidatiounsreaktioun optrieden, d'Benotzung vun der Temperatur ass allgemeng limitéiert op 1600 ° C ënner, déi gewéinlech Aart vu Silizium Kuelestoff Staang
Déi sécher Operatiounstemperatur ass 1350 °C.Am SiC gëtt e Si Atom duerch en N Atom ersat, well N méi Elektronen huet, et gëtt iwwerschësseg Elektronen, a säin Energieniveau ass no bei der ënneschter Leitungsband an et ass einfach op d'Leedungsband eropzesetzen, sou datt dësen Energiezoustand gëtt och den Donorniveau genannt, dës Halschent
D'Leedere sinn N-Typ Hallefleitungen oder elektronesch féierend Hallefleit.Wann en Al Atom am SiC benotzt gëtt fir e Si Atom z'ersetzen, wéinst dem Manktem un engem Elektron, ass de geformte materiellen Energiezoustand no bei der Valenzelektronenband uewendriwwer, et ass einfach Elektronen ze akzeptéieren, an dofir akzeptant genannt
Den Haaptenergieniveau, deen eng fräi Positioun an der Valenzband hannerléisst, déi Elektronen kënne féieren, well déi fräi Positioun d'selwecht wierkt wéi de positiven Ladungsdréier, gëtt e P-Typ Hallefleiter oder Lach-Hallefueder genannt (H. Sarman, 1989).
Post Zäit: Sep-02-2023