Am haitegen Gebitt vun der elektronescher Technologie spillen Hallefleitmaterialien eng entscheedend Roll.Dorënner, Silicon Carbide (SiC) als breet Band Spalt semiconductor Material, mat sengen excellent Leeschtung Virdeeler, wéi héich Decompte elektrescht Feld, héich Sättigung Vitesse, héich thermesch Leit, etc., gëtt no an no de Fokus vun Fuerscher an Ingenieuren.D'Silicon Carbide epitaxial Scheif, als e wichtege Bestanddeel dovun, huet grouss Applikatioun Potential gewisen.
一、epitaxial Disk Performance: voll Virdeeler
1. Ultra-héich Decompte elektrescht Feld: am Verglach mat traditionelle Siliziummaterialien ass den Decompte elektresche Feld vu Siliziumkarbid méi wéi 10 Mol.Dëst bedeit datt ënner de selwechte Spannungsbedéngungen elektronesch Geräter déi Siliziumkarbid-Epitaxialdisken benotze kënnen méi Stréim widderstoen, an doduerch héich Spannung, Héichfrequenz, High-Power elektronesch Geräter kreéieren.
2. Héichgeschwindeg Sättigungsgeschwindegkeet: d'Sättigungsgeschwindegkeet vum Siliciumcarbid ass méi wéi 2 Mol déi vum Silizium.Operéiere bei héijer Temperatur an héijer Geschwindegkeet, mécht d'Silisiumkarbid Epitaxial Scheif besser, wat d'Stabilitéit an d'Zouverlässegkeet vun elektroneschen Apparater wesentlech verbessert.
3. Héich Effizienz thermesch Konduktivitéit: D'Wärmekonduktivitéit vu Siliziumkarbid ass méi wéi 3 Mol déi vu Silizium.Dës Fonktioun erlaabt elektronesch Apparater Hëtzt während kontinuéierlech héich-Muecht Operatioun besser ze dissipéieren, doduerch Iwwerhëtzung verhënneren an Apparat Sécherheet verbesseren.
4. Exzellent chemesch Stabilitéit: an extremen Ëmfeld wéi Héichtemperatur, Héichdrock a staark Stralung ass d'Performance vum Siliziumkarbid nach ëmmer stabil wéi virdrun.Dës Fonktioun erlaabt der Siliziumkarbid Epitaxial Scheif eng exzellent Leeschtung am Gesiicht vu komplexen Ëmfeld ze halen.
二, Fabrikatiounsprozess: suergfälteg geschnëtzt
D'Haaptprozesser fir d'Fabrikatioun vun SIC epitaxialen Scheif enthalen kierperlech Dampdepositioun (PVD), chemesch Dampdepositioun (CVD) an Epitaxialwachstum.Jiddereng vun dëse Prozesser huet seng eege Charakteristiken a erfuerdert präzis Kontroll vu verschiddene Parameteren fir déi bescht Resultater z'erreechen.
1. PVD Prozess: Duerch Verdampfung oder Sputtering an aner Methoden gëtt de SiC Zil op de Substrat deposéiert fir e Film ze bilden.De Film, deen duerch dës Method virbereet ass, huet héich Rengheet a gutt Kristallinitéit, awer d'Produktiounsgeschwindegkeet ass relativ lues.
2. CVD-Prozess: Duerch d'Krackung vum Siliziumkarbidquellgas bei héijer Temperatur gëtt et op de Substrat deposéiert fir en dënnen Film ze bilden.D'Dicke an d'Uniformitéit vum Film, deen duerch dës Methode virbereet ass, ass kontrolléierbar, awer d'Rengheet an d'Kristallinitéit si schlecht.
3. Epitaxial Wuesstum: Wuesstum vun der SiC epitaxialer Schicht op monokristallinem Silizium oder aner monokristallin Materialien duerch chemesch Dampdepositiounsmethod.D'Epitaxialschicht, déi vun dëser Methode virbereet ass, huet gutt Passend an exzellent Leeschtung mam Substratmaterial, awer d'Käschte si relativ héich.
三、 Applikatioun Perspektiv: Beliicht d'Zukunft
Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vu Kraaftelektronik Technologie an der wuessender Nofro fir héich Leeschtung an héich Zouverlässegkeet elektronesch Geräter, huet Siliziumkarbid Epitaxial Scheif e breet Uwendungsperspektiv an der Halbleitergeräter Fabrikatioun.Et ass wäit an der Fabrikatioun vun héich-Frequenz héich-Muecht Halbleiter Apparater benotzt, wéi Muecht elektronesch Schalter, inverters, rectifiers, etc. Zousätzlech, ass et och vill an Solarzellen, LED an aner Beräicher benotzt.
Mat sengen eenzegaartegen Leeschtungsvirdeeler a kontinuéierlecher Verbesserung vum Fabrikatiounsprozess weist Siliziumkarbid-Epitaxialscheif graduell säi grousst Potenzial am Halbleiterfeld.Mir hu Grond ze gleewen datt et an der Zukunft vun der Wëssenschaft an der Technologie eng méi wichteg Roll wäert spillen.
Post Zäit: Nov-28-2023