A wéi enge Beräicher funktionnéiert Siliziumkarbid?

Mënsch am Joer 1905 am Meteorit Siliziumkarbid fonnt, elo haaptsächlech aus syntheteschen, Jiangsu Siliziumkarbid huet vill Gebrauch, d'Industriespan ass grouss, ka fir monokristallin Silizium, Polysilisium, Kaliumarsenid, Quarzkristalle, Solar Photovoltaikindustrie, Hallefleitindustrie benotzt ginn, piezoelektresch Kristallindustrie Engineering Veraarbechtungsmaterialien.

Déi drëtt Generatioun vun semiconductor Material mat seng excellent Charakteristiken, Zukunft Applikatioun Perspektiv ass ganz breet.D'Fuerschung an d'Entwécklung vu Siliziumkarbidchips a China ass nach ëmmer an der éischter Etapp, d'Applikatioun vu Siliziumkarbidchips am Mier ass manner, d'Entwécklung vun der Siliziumkarbidmaterialindustrie feelt d'Ënnerstëtzung vun den Downstream-Applikatiounsfirmen.Wann se als Verstäerkungsmaterialien benotzt ginn, gëtt et dacks mat Kuelestofffaser oder Glasfaser benotzt, haaptsächlech verstäerkt Metaller (wéi Aluminium) a Keramik, wéi Bremspads fir Jetfliger, Motorblades, Landungsgearboxen a Fuselage-Strukturmaterialien, asw., kann och als Sportartikelen benotzt ginn, a seng kuerz Faser kann als héich Temperatur Uewen Material benotzt ginn.

De grober Siliziumkarbidmaterial gouf a grousse Quantitéite geliwwert, awer d'Applikatioun vum Nano-Skala Siliziumkarbidpulver mat ganz héijen techneschen Inhalt kann net a kuerzer Zäit Skalawirtschaft bilden.Siliziumkarbidmaterialien kënnen Duerchbréch bei der Uwendung vu Photovoltaik-Inverter hunn.Déi drëtt Generatioun vun semiconductor Material ass breet Band Spalt semiconductor Material, och bekannt als héich Temperatur semiconductor Materialien, haaptsächlech dorënner Silicon Carbide, Gallium Nitride, Al nitride, Zénk Oxid, Diamant an sou op.

RC

Am Beräich vun Photovoltaik Uwendungen

Photovoltaic inverter ass ganz wichteg fir photovoltaic Muecht Generatioun, huet net nëmmen déi direkt AC Konversioun Funktioun, mä huet och d'Funktioun vun der Sonn Zell Funktioun an System Feeler Schutz Funktioun zu engem groussen Deel.Et huet automatesch Operatioun an Ausschaltfunktioun, High-Power Tracking Kontrollfunktioun, Anti-Separat Operatiounsfunktioun (fir netverbonne Systemer), automatesch Spannungsjustéierungsfunktioun (fir netverbonne Systemer), DC Detektiounsfunktioun (fir netverbonne Systemer) , DC-Gronderkennungsfunktioun (fir Gitterverbonne Systemer), a sou weider.

Uwendungen am Beräich vun der Loftfaart

Siliziumkarbid gëtt a Siliziumkarbidfaser gemaach, Siliziumkarbidfaser gëtt haaptsächlech als héichtemperaturbeständeg Materialien a Verstäerkungsmaterialien benotzt, héichtemperaturbeständeg Materialien enthalen Hëtztschutzmaterialien, héichtemperaturbeständeg Fërderbänner, Filtertuch fir Héichtemperaturgas oder geschmollte Metall.Dës Zort vu Material huet eng breet Band Spalt (Band Spalt Breet méi grouss wéi 2.2ev), héich thermesch Leit, héich Decompte elektrescht Feld, héich Stralung Resistenz, héich Elektronen Sättigung Taux an aner Charakteristiken, gëeegent fir héich Temperatur, héich Frequenz, Stralung Resistenz an héich-Muecht Apparat Produktioun.Entwéckelt enk an intim Zesummenaarbecht am Personal Training an Technologie Fuerschung an Entwécklung;D'Kommunikatioun tëscht den Entreprisen stäerken, besonnesch aktiv um internationale Austauschfluss deelhuelen, den Entwécklungsniveau vun den Entreprisen förderen;Opgepasst op d'Entreprise Mark Gebai, a striewen d'Fauscht Produkter vun der Entreprise ze kreéieren.

D'Uwendung vun neien Technologien an neien Apparater vun Haushalter Inverter Hiersteller ass nach ze wéineg, an den Inverter mat Siliziumkarbid als Stroumapparat huet ugefaang a grousse Quantitéite applizéiert ze ginn.Déi intern Resistenz vu Siliziumkarbid ass ganz kleng, an d'Effizienz kann ganz héich sinn, d'Schaltfrequenz kann 10K erreechen, an LC Filteren a Buskondensatoren kënnen och gespuert ginn.

Uwendungen am semiconductor Beräich

Silicon-Carbide eendimensional Nanomaterialien ginn erwaart e wichtege Bestanddeel vun der drëtter Generatioun vu breetband Spalt-Halbleitermaterialien ze sinn wéinst hirer mikroskopescher Morphologie an der Kristallstruktur, déi se méi eenzegaarteg exzellent Funktiounen a méi extensiv Uwendungsperspektiven hunn.

 


Post Zäit: Jul-24-2023