Am Moment sinn d'Virbereedungsmethoden vunSiC Beschichtungenthält haaptsächlech Gel-Sol Method, Embedding Method, Pinselbeschichtungsmethod, Plasma Spraymethod, Chemesch Gasreaktiounsmethod (CVR) a Chemesch Vapor Deposition Method (CVD).
Embedding Method:
D'Methode ass eng Aart vun Héichtemperatur Festphase Sintering, déi haaptsächlech d'Mëschung vu Si-Pulver a C-Pulver als Embedding-Pulver benotzt, d'Graphitmatrix gëtt an de Embedding-Pulver plazéiert, an d'Héichtemperatur-Sintering gëtt am Inertgas duerchgefouert. , an endlech deSiC Beschichtunggëtt op der Uewerfläch vun der Graphitmatrix kritt.De Prozess ass einfach an d'Kombinatioun tëscht der Beschichtung an dem Substrat ass gutt, awer d'Uniformitéit vun der Beschichtung laanscht d'Dicke Richtung ass schlecht, wat einfach méi Lächer ze produzéieren an zu enger schlechter Oxidatiounsbeständegkeet féiert.
Pinselbeschichtungsmethod:
D'Brushbeschichtungsmethod ass haaptsächlech fir de flëssege Rohmaterial op der Uewerfläch vun der GRAPHITE Matrix ze biischten, an dann d'Rohmaterial bei enger gewësser Temperatur ze heelen fir d'Beschichtung ze preparéieren.De Prozess ass einfach an d'Käschte si niddereg, awer d'Beschichtung virbereet duerch Pinselbeschichtungsmethod ass schwaach a Kombinatioun mam Substrat, d'Beschichtungsuniformitéit ass schlecht, d'Beschichtung ass dënn an d'Oxidatiounsresistenz ass niddereg, an aner Methode si gebraucht fir ze hëllefen et.
Plasma Spraymethod:
D'Plasma-Spraymethod ass haaptsächlech fir geschmolten oder hallefgeschmëlzene Rohmaterial op der Uewerfläch vun der Grafitmatrix mat enger Plasma-Pistoul ze sprëtzen, an dann ze solidifizéieren a binden fir eng Beschichtung ze bilden.D'Methode ass einfach ze bedreiwen a kann eng relativ dichte Siliziumkarbidbeschichtung virbereeden, awer d'Siliziumkarbidbeschichtung, déi vun der Method virbereet ass, ass dacks ze schwaach a féiert zu enger schwaacher Oxidatiounsresistenz, sou datt et allgemeng benotzt gëtt fir d'Virbereedung vu SiC Kompositbeschichtung fir ze verbesseren d'Qualitéit vun der Beschichtung.
Gel-sol Method:
D'Gel-Sol-Methode ass haaptsächlech fir eng eenheetlech an transparent Sol-Léisung ze preparéieren déi d'Uewerfläch vun der Matrix ofdeckt, an e Gel trocknen an dann Sinteren fir eng Beschichtung ze kréien.Dës Method ass einfach ze bedreiwen an niddreg Käschten, awer d'Beschichtung produzéiert huet e puer Defiziter wéi niddereg thermesch Schockbeständegkeet an einfach Rëss, sou datt et net wäit benotzt ka ginn.
Chemesch Gasreaktioun (CVR):
CVR generéiert haaptsächlechSiC Beschichtungandeems Si a SiO2-Pulver benotzt fir SiO-Damp bei héijer Temperatur ze generéieren, an eng Serie vu chemesche Reaktiounen geschéien op der Uewerfläch vum C Material Substrat.DéiSiC Beschichtungmat dëser Method virbereet ass enk mam Substrat gebonnen, awer d'Reaktiounstemperatur ass méi héich an d'Käschte si méi héich.
Chemesch Dampdepositioun (CVD):
Am Moment ass CVD d'Haapttechnologie fir ze preparéierenSiC Beschichtungop der Uewerfläch vum Substrat.Den Haaptprozess ass eng Serie vu physikaleschen a chemesche Reaktioune vu Gasphase-Reaktantmaterial op der SubstratUewerfläch, a schliisslech gëtt d'SiC-Beschichtung duerch Oflagerung op der Substratfläch virbereet.D'SiC Beschichtung virbereet duerch CVD Technologie ass enk mat der Uewerfläch vum Substrat gebonnen, wat d'Oxidatiounsresistenz an d'Ablativ Resistenz vum Substratmaterial effektiv verbesseren kann, awer d'Oflagerungszäit vun dëser Method ass méi laang, an de Reaktiounsgas huet e gewësse gëfteg. gass.
Post Zäit: Nov-06-2023