PART/1
CVD (Chemical Vapor Deposition) Method:
Bei 900-2300 ℃ benotzt TaCl5a CnHm als Tantal a Kuelestoffquellen, H₂ als reduzéierend Atmosphär, Ar₂as Trägergas, Reaktiounsdepositiounsfilm.D'preparéiert Beschichtung ass kompakt, eenheetlech an héich Rengheet.Wéi och ëmmer, et ginn e puer Probleemer wéi komplizéierte Prozess, deier Käschten, schwéier Loftflosskontrolle a geréng Oflagerungseffizienz.
PART/2
Slurry Sintering Method:
De Schlamm mat Kuelestoffquell, Tantalquell, Dispergéierungsmëttel a Bindemittel gëtt op de Grafit beschichtet an no der Trocknung bei héijer Temperatur gesintert.D'preparéiert Beschichtung wächst ouni regelméisseg Orientéierung, huet niddereg Käschten an ass gëeegent fir grouss Produktioun.Et bleift ze exploréieren fir eenheetlech a voll Beschichtung op grousse Grafit z'erreechen, Ënnerstëtzungsfehler ze eliminéieren an d'Beschichtungsverbindungskraaft ze verbesseren.
PART/3
Plasma Spraymethod:
TaC Pudder gëtt duerch Plasma Bogen bei héijer Temperatur geschmoltenem, an héich Temperatur Drëpsen duerch Héich-Vitesse Jet atomized, an op d'Uewerfläch vun GRAPHITE Material gesprëtzt.Et ass einfach Oxidschicht ënner Net-Vakuum ze bilden, an den Energieverbrauch ass grouss.
Figur.Wafer Schacht no Gebrauch am GaN epitaxial ugebaut MOCVD Apparat (Veeco P75).Déi lénks ass mat TaC beschichtet an deen riets ass mat SiC beschichtet.
TaC beschichtetgraphite Deeler mussen geléist ginn
PART/1
Bindung Kraaft:
Den thermesche Expansiounskoeffizient an aner physikalesch Eegeschaften tëscht TaC a Kuelestoffmaterialien sinn ënnerschiddlech, d'Beschichtungsverbindungsstäerkt ass niddereg, et ass schwéier Rëss, Poren an thermesche Stress ze vermeiden, an d'Beschichtung ass einfach ze schielen an der aktueller Atmosphär mat Verrotten a Verrotten. widderholl Rising a Ofkillungsprozess.
PART/2
Puritéit:
TaC Beschichtungmuss ultra-héich Rengheet sinn fir Gëftstoffer a Verschmotzung ënner héijer Temperaturbedéngungen ze vermeiden, an déi effektiv Inhaltsnormen a Charakteriséierungsnormen vu fräie Kuelestoff an intrinsesche Gëftstoffer op der Uewerfläch an der bannenzeger vun der voller Beschichtung mussen ausgemaach ginn.
PART/3
Stabilitéit:
Héich Temperaturresistenz a chemesch Atmosphärresistenz iwwer 2300 ℃ sinn déi wichtegst Indicateuren fir d'Stabilitéit vun der Beschichtung ze testen.Pinholes, Rëss, vermësst Corner, an eenzeg Orientéierung Kär Grenzen sinn einfach Ursaach ätzend Gase ze penetréieren an an d'Graphit penetréieren, doraus an Beschichtung Schutz Echec.
PART/4
Oxidatiounsresistenz:
TaC fänkt un Ta2O5 ze oxidéieren wann et iwwer 500 ℃ ass, an d'Oxidatiounsquote klëmmt staark mat der Erhéijung vun der Temperatur an der Sauerstoffkonzentratioun.D'Oxidatioun vun der Uewerfläch fänkt vun de Kärgrenzen a klenge Kären un, a formt lues a lues sëlleche Kristalle a gebrochene Kristalle, wat zu enger grousser Unzuel vu Lücken a Lächer resultéiert, an d'Sauerstoffinfiltratioun verstäerkt bis d'Beschichtung ofgeschnidden ass.Déi resultéierend Oxidschicht huet eng schlecht thermesch Konduktivitéit an eng Vielfalt vu Faarwen am Erscheinungsbild.
PART/5
Uniformitéit a Rauhegkeet:
Ongläiche Verdeelung vun der Beschichtungsfläche kann zu lokalen thermesche Stress Konzentratioun féieren, wat de Risiko vu Rëss a Splitter erhéicht.Zousätzlech beaflosst d'Uewerflächenrauheet direkt d'Interaktioun tëscht der Beschichtung an dem externen Ëmfeld, an ze héich Rauhheet féiert einfach zu enger verstäerkter Reibung mat der Wafer an ongläiche thermesche Feld.
PART/6
Grain Gréisst:
Déi eenheetlech Kärgréisst hëlleft der Stabilitéit vun der Beschichtung.Wann d'Korngréisst kleng ass, ass d'Bindung net enk, an et ass einfach ze oxydéiert a korrodéiert, wat zu enger grousser Zuel vu Rëss a Lächer an der Getreidekant resultéiert, wat d'Schutzleistung vun der Beschichtung reduzéiert.Wann d'Korngréisst ze grouss ass, ass et relativ rau, an d'Beschichtung ass einfach ënner thermesche Belaaschtung ze flachen.
Post Zäit: Mar-05-2024