Wuesstem Verifikatioun
DéiSiliciumcarbid (SiC)Som Kristalle goufen no dem skizzéierte Prozess virbereet an duerch SiC Kristallwachstum validéiert. Déi benotzte Wuesstumsplattform war e selbstentwéckelte SiC Induktiounswachstumofen mat enger Wuesstemperatur vun 2200 ℃, engem Wuesstumsdrock vun 200 Pa, an enger Wuesstumsdauer vun 100 Stonnen.
Virbereedung involvéiert a6-Zoll SiC wafermat souwuel de Kuelestoff a Silizium Gesiichter poléiert, awaferDicke Uniformitéit vun ≤10 µm, an eng Silizium Gesiicht Rauhheet vun ≤0,3 nm. En 200 mm Duerchmiesser, 500 µm décke Grafitpabeier, zesumme mat Klebstoff, Alkohol, a flauscheg Stoff goufen och virbereet.
DéiSiC waferwar spin-beschichtete mat Klebstoff op der Bindung Uewerfläch fir 15 Sekonnen bei 1500 r / min.
De Klebstoff op der Bindungsfläch vun derSiC wafergouf op enger waarmer Plack getrocknt.
D'Graphitpabeier anSiC wafer(Bindungsfläch no ënnen) goufe vun ënnen no uewen gestapelt an an de Somenkristall waarme Pressofen gesat. D'waarm Pressen gouf no dem virausgesate waarme Pressprozess duerchgefouert. Figur 6 weist d'Some Kristall Uewerfläch nom Wuesstem Prozess. Et kann gesi ginn datt d'Some Kristall Uewerfläch glat ass ouni Zeeche vun Delaminatioun, wat beweist datt d'SiC Som Kristalle virbereet an dëser Etude gutt Qualitéit an eng dichte Bindungsschicht hunn.
Conclusioun
Bedenkt datt déi aktuell Bindungs- an Hänkmethoden fir Saatkristallfixatioun, eng kombinéiert Bindung an Hänkmethod gouf proposéiert. Dës Etude konzentréiert sech op d'Kuelestoff Film Virbereedung anwafer/ graphite Pabeier Bindung Prozess néideg fir dës Method, féiert zu de folgende Conclusiounen:
D'Viskositéit vum Klebstoff erfuerderlech fir de Kuelestofffilm op der Wafer soll 100 mPa·s sinn, mat enger Karboniséierungstemperatur vun ≥600 ℃. Déi optimal Carboniséierungsëmfeld ass eng argon geschützt Atmosphär. Wann et ënner Vakuumbedéngungen gemaach gëtt, sollt de Vakuumgrad ≤1 Pa sinn.
Souwuel d'Karboniséierungs- a Bindungsprozesser erfuerderen niddereg-Temperaturhärung vun der Carboniséierung a Bindungsklebstoff op der Wafer Uewerfläch fir Gase aus dem Klebstoff ze verdreiwen, ze vermeiden Peeling an ongëlteg Mängel an der Bindungsschicht wärend der Kuelestoff.
D'Verbindungsklebstoff fir de Wafer / Grafitpabeier soll eng Viskositéit vu 25 mPa·s hunn, mat engem Bindungsdrock vun ≥15 kN. Wärend dem Bindungsprozess sollt d'Temperatur lues a lues am niddregen Temperaturberäich (<120 ℃) iwwer ongeféier 1,5 Stonnen eropgesat ginn. D'SiC Kristallwachstumsverifizéierung huet bestätegt datt d'preparéiert SiC Seedkristalle den Ufuerderunge fir qualitativ héichwäerteg SiC Kristallwachstum entspriechen, mat glatem Keimkristallflächen a keng Ausfäll.
Post Zäit: Jun-11-2024