Als ee vun de Kär Komponente vunMOCVD Ausrüstung, Graphitbasis ass den Träger an d'Heizkierper vum Substrat, deen direkt d'Uniformitéit an d'Rengheet vum Filmmaterial bestëmmt, sou datt seng Qualitéit direkt d'Virbereedung vun der Epitaxialplack beaflosst, a gläichzäiteg mat der Erhéijung vun der Zuel vun benotzt an d'Verännerung vun Aarbechtskonditiounen, et ass ganz einfach ze droen, gehéiert zu de Verbrauchsmaterial.
Och wann d'Graphit eng exzellent thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit huet, huet et e gudde Virdeel als Basiskomponent vunMOCVD Ausrüstung, awer am Produktiounsprozess wäert d'Graphit d'Pudder korrodéieren wéinst dem Rescht vu korrosive Gasen a metallesche Organer, an d'Liewensdauer vun der Grafitbasis gëtt staark reduzéiert.Zur selwechter Zäit wäert de falende Grafitpulver Verschmotzung vum Chip verursaachen.
D'Entstoe vun der Beschichtungstechnologie kann Uewerflächepulverfixatioun ubidden, d'thermesch Konduktivitéit verbesseren an d'Hëtztverdeelung ausgläichen, wat d'Haapttechnologie gouf fir dëse Problem ze léisen.Graphite Basis anMOCVD Ausrüstungbenotzen Ëmfeld, GRAPHITE Basis Uewerfläch Beschichtung soll de folgende Charakteristiken treffen:
(1) D'Graphitbasis kann voll gewéckelt ginn, an d'Dicht ass gutt, soss ass d'Graphitbasis einfach am korrosive Gas korrodéiert.
(2) D'Kombinatiounsstäerkt mat der Grafitbasis ass héich fir sécherzestellen datt d'Beschichtung net einfach ass ze falen no e puer héich Temperaturen a Tieftemperaturzyklen.
(3) Et huet gutt chemesch Stabilitéit fir Beschichtungsfehler bei héijer Temperatur a korrosiver Atmosphär ze vermeiden.
SiC huet d'Virdeeler vun corrosion Resistenz, héich thermesch Leit, thermesch Schock Resistenz an héich chemesch Stabilitéit, a kann gutt an GaN epitaxial Atmosphär Aarbecht.Zousätzlech ënnerscheet sech den thermesche Expansiounskoeffizient vu SiC ganz wéineg vun deem vu Grafit, sou datt SiC dat bevorzugt Material fir d'Uewerflächbeschichtung vu Grafitbasis ass.
Am Moment ass de gemeinsame SiC haaptsächlech 3C, 4H a 6H Typ, an d'SiC Notzung vu verschiddene Kristallarten sinn ënnerschiddlech.Zum Beispill, 4H-SiC kann héich-Muecht Apparater Fabrikatioun;6H-SiC ass déi stabilst a kann fotoelektresch Geräter fabrizéieren;Wéinst senger ähnlecher Struktur wéi GaN, kann 3C-SiC benotzt ginn fir GaN epitaxial Schicht ze produzéieren an SiC-GaN RF Apparater ze fabrizéieren.3C-SiC ass och allgemeng bekannt alsβ-SiC, an eng wichteg Notzung vunβ-SiC ass als Film a Beschichtungsmaterial, alsoβ-SiC ass de Moment den Haaptmaterial fir d'Beschichtung.
Post Zäit: Nov-06-2023