Siliciumcarbid Waferass aus héich Rengheet Silizium Pudder an héich Rengheet Kuelestoff Pudder als Matière première gemaach, a Silicon Carbide Kristall gëtt duerch kierperlech Dampfer Transfer Method (PVT) ugebaut, a veraarbecht anSiliciumcarbid Wafer.
① Rohmaterial Synthese.Héich Puritéit Siliziumpulver an héich Puritéit Kuelestoffpulver goufen no engem bestëmmte Verhältnis gemëscht, a Siliziumkarbidpartikele goufen bei héijer Temperatur iwwer 2.000 ℃ synthetiséiert.Nom Zerdrécken, Botzen an aner Prozesser ginn déi héich Rengheet Siliziumkarbidpulver Rohmaterialien virbereet, déi den Ufuerderunge vum Kristallwachstum entspriechen.
② Kristallwachstum.Mat héijer Rengheet SIC-Pulver als Rohmaterial, gouf de Kristall duerch physesch Dampfertransfer (PVT) Methode mat selbst entwéckelte Kristallwachstumofen ugebaut.
③ Ingot Veraarbechtung.De kritt Siliziumkarbid Kristallstéck gouf duerch Röntgen Eenkristallorientéierter orientéiert, duerno gemoolt a gewalzt, an an Standard Duerchmiesser Siliziumkarbid Kristall veraarbecht.
④ Kristallschneid.Mat Multi-Line-Schneidausrüstung, Siliziumkarbid-Kristalle ginn an dënnem Blieder mat enger Dicke vun net méi wéi 1 mm geschnidden.
⑤ Chip Schleifen.De Wafer gëtt op déi gewënschte Flaachheet a Rauhheet gemoolt duerch Diamantschleifflëssegkeete vu verschiddene Partikelgréissten.
⑥ Chip poléieren.De poléierte Siliziumkarbid ouni Uewerflächeschued gouf duerch mechanesch Polieren a chemesch mechanesch Polieren kritt.
⑦ Chip Detektioun.Benotzt opteschen Mikroskope, Röntgendiffraktometer, Atomkraaftmikroskop, Net-Kontakt Resistivitéitstester, Surface Flatness Tester, Surface Defekt Comprehensive Tester an aner Instrumenter an Ausrüstung fir d'Mikrotubule Dicht, d'Kristallqualitéit, d'Uewerflächenrauheet, d'Resistivitéit, d'Kräftung, d'Krümmung, Ännerung vun deck, Uewerfläch Schrummen an aner Parameteren vun Silicon Carbide wafer.Deemno gëtt de Qualitéitsniveau vum Chip bestëmmt.
⑧ Chip Botzen.D'Silicon Carbide Polierplack gëtt mat Botzmëttelen a purem Waasser gereinegt fir d'Residpoléierflëssegkeet an aner Uewerflächeschmutz op der Polierplack ze entfernen, an dann gëtt d'Wafer geblosen a trocken duerch ultra-héich Rengheet Stickstoff an Trocknermaschinn;De Wafer ass an enger propperer Blatkëscht an enger super propperer Chamber verschlësselt fir e downstream prett-ze-benotzen Siliciumcarbid Wafer ze bilden.
Wat méi grouss d'Chipgréisst ass, wat méi schwéier de entspriechende Kristallwachstum a Veraarbechtungstechnologie ass, an wat méi héich d'Fabrikatiounseffizienz vun Downstream Geräter ass, wat méi niddereg d'Eenheetskäschte sinn.
Post Zäit: Nov-24-2023