DéiMOCVDMethod ass ee vun de stabilste Prozesser déi aktuell an der Industrie benotzt gi fir héichqualitativ eenzegkristallin dënn Filmer ze wuessen, sou wéi eenzel Phas InGaN Epilayers, III-N Materialien, a Hallefleitfilmer mat Multi-Quantewellstrukturen, an ass vu grousser Bedeitung an der Fabrikatioun vun semiconductor an optoelektronesch Apparater.
DéiSiC Beschichtung MOCVD susceptorass e spezialiséierte Waferhalter mat Siliziumkarbid (SiC) beschichtet firepitaxial Wuesstum am Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Prozess.
D'SiC Beschichtung huet exzellent chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit, sou datt et eng ideal Wiel fir MOCVD Susceptoren ass, déi an usprochsvollen epitaxiale Wuesstumsprozesser benotzt ginn.
E Schlësselkomponent vum MOCVD-Prozess ass de Susceptor, deen e Schlësselelement ass fir d'Uniformitéit an d'Qualitéit vun de produzéierte dënnen Filmer ze garantéieren.
Wat ass e Susceptor? De Susceptor ass e spezialiséierte Bestanddeel deen am MOCVD-Prozess benotzt gëtt fir de Substrat z'ënnerstëtzen an z'erhëtzen, op deem den dënnen Film deposéiert ass. Et huet verschidde Funktiounen, dorënner d'Electromagnetesch Energie absorbéieren, se an Hëtzt ëmsetzen, an d'Hëtzt gläichméisseg op de Substrat verdeelen. Dës eenheetlech Heizung ass essentiell fir de Wuesstum vun eenheetleche dënnen Filmer mat präzis Dicke a Kompositioun.
Zorte vu susceptors:
1. Graphitsusceptoren: Graphitsusceptoren ginn dacks mat enger Schutzschicht wéi z.B.Siliciumcarbid (SiC), déi bekannt ass fir seng héich thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit. DéiSiC Beschichtungstellt eng haart, Schutzmoossnamen Uewerfläch datt corrosion an Degradatioun bei héijen Temperaturen widderstoen.
2. Silicon Carbide (SiC) susceptors: Dës susceptors sinn ganz vun SiC gemaach an hunn excellent thermesch Stabilitéit an zouzedrécken Resistenz. SiC susceptors si besonnesch gëeegent fir héich-Temperatur Prozesser a korrosive Ëmfeld.
Wéi Susceptoren am MOCVD funktionnéieren:
Am MOCVD-Prozess ginn d'Virgänger an d'Reaktiounskammer agefouert, wou se zersetzen a reagéieren fir en dënnen Film um Substrat ze bilden. De Susceptor spillt eng vital Roll andeems se suergen datt de Substrat gleichméisseg erhëtzt gëtt, wat kritesch ass fir konsequent Filmeigenschaften iwwer déi ganz Substratoberfläch z'erreechen. D'Material an den Design vum Susceptor ginn suergfälteg ausgewielt fir déi spezifesch Ufuerderunge vum Oflagerungsprozess z'erreechen, sou wéi Temperaturbereich a chemesch Kompatibilitéit.
Virdeeler vun der Benotzung vun héichwäertege Susceptoren:
• Erweidert Filmqualitéit: Duerch eng eenheetlech Hëtztverdeelung hëlleft de Susceptor Filmer mat konsequent Dicke a Kompositioun z'erreechen, wat kritesch ass fir d'Performance vun Halbleitergeräter.
• Verbesserte Prozesseffizienz: Héichqualitativ Susceptoren erhéijen d'Gesamteffizienz vum MOCVD-Prozess duerch d'Reduktioun vun der Wahrscheinlechkeet vu Mängel an d'Erhéijung vun der Ausbezuele vu benotzbaren Filmer.
• Liewensdauer an Zouverlässegkeet: Susceptoren aus haltbaren Materialien wéi SiC garantéieren laangfristeg Zouverlässegkeet a reduzéieren d'Ënnerhaltskäschte.
De Susceptor ass en integralen Bestanddeel am MOCVD-Prozess an beaflosst direkt d'Qualitéit an d'Effizienz vun der dënnem Filmdepositioun. Fir méi Informatiounen iwwer verfügbare Gréissten, MOCVD Susceptoren a Präisser, zéckt net eis ze kontaktéieren. Eis Ingenieuren beroden Iech gär iwwer gëeegent Materialien an äntweren all Är Froen.
Telefon: +86-13373889683
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Post Zäit: Aug-12-2024