Produkt beschreiwung
Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vun GRAPHITE, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase Kuelestoff a Silicon enthalen bei héijer Temperatur reagéieren héich Rengheet SiC Molekülle ze kréien, Molekülle op der Uewerfläch vun der Beschichtete Material deposéiert, FormenSIC Schutzschicht.
Haaptfeatures:
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Properties | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Hardness | Vickers Hardness | 2500 |
| Grain Gréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99,99995 |
| Hëtzt Kapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatioun Temperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Kraaft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) | 430 |
| Thermal Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
-
Héich-Temperatur SiC-Beschichtete Epitaxial Reaktor B ...
-
SiC Beschichtete Graphitfass fir Epitaxial Wuesstem
-
LMJ Microjet Laser Technologie Ausrüstung
-
SiC-beschichtete Semiconductor Epitaxial Reaktor fir ...
-
Graphit Heizung waarm Zone/Graphit Heizfeld, ca ...
-
Reaktioun gesintert Silicon Carbide wafer Boot