-
Exploratioun vun Halbleiter Siliziumkarbid Epitaxial Disken: Leeschtungsvirdeeler an Uwendungsperspektiven
Am haitegen Gebitt vun der elektronescher Technologie spillen Hallefleitmaterialien eng entscheedend Roll. Dorënner Siliziumkarbid (SiC) als breet Band Spalt Halbleitermaterial, mat sengen exzellente Leeschtungsvirdeeler, wéi héich Decompte elektrescht Feld, héich Sättigungsgeschwindegkeet, h ...Liest méi -
Graphite hart Filz - innovativt Material, mécht eng nei Ära vu Wëssenschaft an Technologie op
Als neit Material Graphit schwéier gefillt, ass de Fabrikatiounsprozess ganz eenzegaarteg. Wärend dem Mësch- a Filzprozess interagéiere Graphenfasern a Glasfaser fir en neit Material ze bilden dat souwuel déi héich elektresch Konduktivitéit an héich Kraaft vu Graphen behält a ...Liest méi -
Wat ass semiconductor Silicon Carbide (SiC) wafer
Semiconductor Silicon Carbide (SiC) wafers, dëst neit Material ass graduell an de leschte Joeren entstanen, mat sengen eenzegaartegen physikaleschen a chemeschen Eegeschaften, eng nei Vitalitéit fir d'Hallefuederindustrie injizéiert. SiC Wafere, déi Monokristaller als Rohmaterial benotzen, si suergfälteg g ...Liest méi -
Silicon Carbide wafer Produktioun Prozess
Silicon Carbide Wafer ass aus héich Rengheet Silizium Pudder an héich Rengheet Kuelestoff Pudder als Matière première gemaach, a Silicon Carbide Kristallsglas produzéiert gëtt duerch kierperlech Damp Transfermaart Method (PVT), an an Silicon Carbide Wafer veraarbecht. ① Rohmaterial Synthese. Héich Puritéit Sili ...Liest méi -
Silicon Carbide Beschichtung: déi nei Schatz vun der Halbleiterindustrie
Mat der rapider Entwécklung vun der Halbleiterindustrie gëtt dat neit Material Siliziumkarbid (SiC) Beschichtung no an no de Stärematerial an der Industrie. Silicon Carbide Beschichtete GRAPHITE ass wäit an héich Temperatur / Héichspannung Hallefleit elektronesch Produiten benotzt.Liest méi -
Siliziumkarbidbeschichtungen: Nei Duerchbroch an der Materialwëssenschaft
Mat der Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie ännert dat neit Material Siliziumkarbidbeschichtung lues a lues eist Liewen. Dës Beschichtung, déi op der Uewerfläch vun Deeler duerch physesch oder chemesch Dampdepositioun, Sprayen an aner Methoden virbereet gëtt, huet grouss Attraktivitéit ugezunn ...Liest méi -
SiC Beschichtete Graphitfass
Als ee vun de Kär Komponente vun MOCVD Equipement, GRAPHITE Basis ass den Träger an Heizkierper vum Substrat, déi direkt d'Uniformitéit an Rengheet vun der Film Material bestëmmt, sou seng Qualitéit direkt Afloss op d'Virbereedung vun der epitaxial Blat, an op der . ..Liest méi -
Methode fir d'Virbereedung vu Siliziumkarbidbeschichtung
Am Moment enthalen d'Virbereedungsmethoden vun der SiC Beschichtung haaptsächlech Gel-Sol Method, Embedding Method, Pinselbeschichtungsmethod, Plasma Spraymethod, Chemesch Gasreaktiounsmethod (CVR) a Chemesch Vapor Deposition Method (CVD). Embedding Method: D'Method ass eng Zort héich ...Liest méi -
Gratulatioun un eis (Semicera), Partner, SAN 'an Optoelectronics, fir d'Erhéijung vum Aktiepräis
24. Oktober - D'Aktien an der San'an Optoelectronics sinn haut sou vill wéi 3,8 geklomm nodeems de chinesesche Halbleiter Hiersteller gesot huet datt seng Siliziumkarbidfabrik, déi d'Firma Auto Chip Joint Venture mam Schwäizer Tech Ris ST Microelectronics liwwert wann et fäerdeg ass. .Liest méi -
Virsiichtsmoossname fir d'Benotzung vun Aluminiumoxid Keramik Strukturdeeler
An de leschte Joeren ass Alumina Keramik vill an High-End Felder benotzt ginn, wéi Instrumentatioun, Liewensmëttelmedizinesch Behandlung, Solar Photovoltaik, mechanesch an elektresch Apparater, Laser Halbleiter, Petroleummaschinnen, Automobil Militärindustrie, Raumfaart an aner ...Liest méi -
Material Struktur an Eegeschafte vun gesintert Silizium Carbide ënner atmosphäreschen Drock
【 Zesummefaassung Beschreiwung 】 A modernen C, N, B an aner net-Oxid High-Tech refractaire Matière première, atmosphäreschen Drock gesintert Silizium Carbide ass extensiv a wiertschaftlech, a kann gesot ginn Emery oder refractaire Sand sinn. Pure Siliziumkarbid ass faarweg transparent Cr ...Liest méi -
Fabrikatiounsmethod fir den Apparat vum Siliziumkarbid-Uewenröhre ze transportéieren
Silicon Carbide Schmelzhäre huet héich Temperatur, Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, héich Häert, héich Kraaft, héich thermesch Konduktivitéit, héich kal a waarm plötzlech Verännerung Leeschtung, gutt Oxidatiounsbeständegkeet an aner exzellent Eegeschaften, a ville Hëtzt ...Liest méi