CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Iwwersiicht:CVDBulk Siliciumcarbid (SiC)ass e ganz gesichte Material a Plasma Ätsausrüstung, séier thermesch Veraarbechtung (RTP) Uwendungen, an aner Hallefleitfabrikatiounsprozesser. Seng aussergewéinlech mechanesch, chemesch an thermesch Eegeschafte maachen et en idealt Material fir fortgeschratt Technologieapplikatiounen déi héich Präzisioun an Haltbarkeet verlaangen.
Uwendungen vum CVD Bulk SiC:Bulk SiC ass entscheedend an der Hallefleitindustrie, besonnesch a Plasma Ätssystemer, wou Komponenten wéi Fokusringen, Gasduschkappen, Randringen, a Placken profitéiere vun der aussergewéinlecher Korrosiounsbeständegkeet an der thermescher Konduktivitéit vum SiC. Seng Notzung verlängert bisRTPSystemer wéinst der Fäegkeet vum SiC fir séier Temperaturschwankungen ze widderstoen ouni wesentlech Degradatioun.
Nieft Ätzen Equipement, CVDbulk SiCass favoriséiert an Diffusiounsofen a Kristallwachstumsprozesser, wou héich thermesch Stabilitéit a Resistenz géint haart chemesch Ëmfeld erfuerderlech sinn. Dës Attributer maachen SiC d'Material vun der Wiel fir héich Nofro Uwendungen mat héijen Temperaturen a korrosive Gase, sou wéi déi, déi Chlor a Fluor enthalen.
Virdeeler vun CVD Bulk SiC Komponenten:
•Héich Dicht:Mat enger Dicht vun 3,2 g/cm³,CVD bulk SiCKomponente sinn héich resistent géint zouzedrécken a mechanesch Impakt.
•Superior thermesch Konduktivitéit:Bitt thermesch Konduktivitéit vun 300 W / m · K, Bulk SiC geréiert effizient Hëtzt, sou datt et ideal ass fir Komponenten déi extrem thermesch Zyklen ausgesat sinn.
•Aussergewéinlech chemesch Resistenz:Déi geréng Reaktivitéit vu SiC mat Ätsgasen, dorënner Chlor a Fluor-baséiert Chemikalien, garantéiert eng verlängert Liewensdauer vun de Komponenten.
•Upassbar Resistivitéit: CVD Bulk SiCsResistivitéit kann am Beräich vun 10⁻²–10⁴ Ω-cm personaliséiert ginn, sou datt et adaptéierbar ass fir spezifesch Ätzen an Halbleiterfabrikatiounsbedierfnesser.
•Thermesch Expansiounskoeffizient:Mat engem thermesche Expansiounskoeffizient vu 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), widderstoen CVD Bulk SiC thermesche Schock, behalen d'Dimensiounenstabilitéit och während séier Heiz- a Ofkillungszyklen.
•Haltbarkeet am Plasma:Belaaschtung fir Plasma a reaktiv Gase ass inévitabel an semiconductor Prozesser, mäCVD bulk SiCbitt héichwäerteg Resistenz géint Korrosioun an Degradatioun, reduzéiert Ersatzfrequenz an allgemeng Ënnerhaltskäschte.
Technesch Spezifikatioune:
•Duerchmiesser:Méi wéi 305 mm
•Resistivitéit:Upassbar bannent 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dicht:3,2 g/cm³
•Thermesch Konduktivitéit:300 W/m·K
•Thermesch Expansiounskoeffizient:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personnalisatioun a Flexibilitéit:OpSemicera Semiconductor, Mir verstinn datt all Hallefleitapplikatioun verschidde Spezifikatioune erfuerderen. Dofir sinn eis CVD Bulk SiC Komponenten voll personaliséierbar, mat justierbarer Resistivitéit an ugepasste Dimensiounen fir Är Ausrüstungsbedürfnisser ze passen. Egal ob Dir Är Plasma Ätzsystemer optiméiert oder no haltbar Komponenten an RTP oder Diffusiounsprozesser sicht, eis CVD Bulk SiC liwwert oniwwertraff Leeschtung.
